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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.885244
10
¥0.835135
100
¥0.787863
500
¥0.743268
1000
¥0.701195
Diodes Incorporated ZVP1320FTA
- 收藏
- 对比
ZVP1320FTA
671-ZVP1320FTA
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
大陆
立即发货

P-Channel 200 V 80 Ohm Surface Mount Enhancement Mode Vertical DMOS FET-SOT-23
--最小包装量--
¥
总价: ¥
ZVP1320FTA详情
Diodes Incorporated ZVP1320FTA重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
17 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
质量
7.994566mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
35mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
350mW Ta
Turn Off Delay Time
8 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2006
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电阻
80Ohm
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
电压 - 额定直流
-200V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
-35mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
350mW
接通延迟时间
8 ns
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
80 Ω @ 50mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
50pF @ 25V
上升时间
8ns
漏源电压 (Vdss)
200V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
8 ns
连续放电电流(ID)
35mA
阈值电压
-1.5V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
-200V
反馈上限-最大值 (Crss)
5 pF
高度
1.02mm
长度
3.04mm
宽度
1.4mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
ZVP1320FTA拓展信息
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
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