ZVP4525E6TA备选型号: FDC6301N
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 包装/外壳
- 底架
- 安装类型
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 宽度
- 高度
- 长度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 触点镀层
- 终端
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 功率 - 最大
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 阈值电压
- 双电源电压
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 栅源电压
- Trans MOSFET P-CH 250V 0.197A 6-Pin SOT-23 T/R17 WeeksSOT-23-6表面贴装表面贴装614.996898mgSILICON197mA Ta2V @ 1mA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2006e3yes活跃1 (Unlimited)6EAR9914OhmMatte Tin (Sn)-250VDUAL鸥翼260-197mA401Single增强型MOSFET1.1W1.53 nsP-ChannelSWITCHING14 Ω @ 200mA, 10V73pF @ 25V3.45nC @ 10V3.78ns250V±40V3.78 ns197mA40V-250V1.8mm1.3mm3.1mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅------------
- ON SEMICONDUCTOR - FDC6301N - Dual MOSFET, Dual N Channel, 220 mA, 25 V, 4 ohm, 4.5 V, 850 mV10 WeeksSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6表面贴装表面贴装636mgSILICON2--55°C~150°C TJTape & Reel (TR)1997e3yes活跃1 (Unlimited)6EAR994Ohm-25V-鸥翼-220mA--Dual增强型MOSFET900mW5 ns2 N-Channel (Dual)SWITCHING4 Ω @ 400mA, 4.5V9.5pF @ 10V0.7nC @ 4.5V4.5ns--4.5 ns220mA8V25V1.7mm1mm3mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)TinSMD/SMT逻辑电平兼容900mW700mW1.5V @ 250μA850mV25VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门850 mV
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF5802TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP | 对比 |
![]() | IRF5801TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET N-CH 200V 600MA 6-TSOP | 对比 |
| FDC6302P | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET SSOT-6 P-CH -25V | 对比 |




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