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ZVP4525E6TA备选型号: IRF5802TRPBF
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- 工厂交货时间
- 包装/外壳
- 底架
- 安装类型
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 宽度
- 高度
- 长度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 系列
- 终端
- 阈值电压
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 双电源电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 栅源电压
Trans MOSFET P-CH 250V 0.197A 6-Pin SOT-23 T/R17 WeeksSOT-23-6表面贴装表面贴装614.996898mgSILICON197mA Ta2V @ 1mA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2006e3yes活跃1 (Unlimited)6EAR9914OhmMatte Tin (Sn)-250VDUAL鸥翼260-197mA401Single增强型MOSFET1.1W1.53 nsP-ChannelSWITCHING14 Ω @ 200mA, 10V73pF @ 25V3.45nC @ 10V3.78ns250V±40V3.78 ns197mA40V-250V1.8mm1.3mm3.1mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅---------
MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP12 WeeksSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6表面贴装表面贴装6-SILICON900mA Ta5.5V @ 250μA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2001e3-活跃1 (Unlimited)6EAR991.2Ohm-150VDUAL鸥翼-900mA--Single增强型MOSFET2W6 nsN-ChannelSWITCHING1.2 Ω @ 540mA, 10V88pF @ 25V6.8nC @ 10V1.6ns-±30V9.2 ns900mA30V150V1.4986mm900μm2.9972mm无SVHC无ROHS3 Compliant含铅TinHEXFET®SMD/SMT5.5V0.9A7A150V9.5 mJ5.5 V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF5802TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP | 对比 |
| IRF5801TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET N-CH 200V 600MA 6-TSOP | 对比 |
 | FDC6302P | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET SSOT-6 P-CH -25V | 对比 |
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