Diodes Incorporated ZVP4525E6TA

工厂交货时间

17 Weeks

包装/外壳

SOT-23-6

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

引脚数

6

质量

14.996898mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

197mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

3.5V 10V

Power Dissipation (Max)

1.1W Ta

Turn Off Delay Time

17.5 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

电阻

14Ohm

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

电压 - 额定直流

-250V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-197mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.1W

接通延迟时间

1.53 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

14 Ω @ 200mA, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

73pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

3.45nC @ 10V

上升时间

3.78ns

漏源电压 (Vdss)

250V

Vgs（最大值）

±40V

下降时间（典型值）

3.78 ns

连续放电电流(ID)

197mA

栅极至源极电压(Vgs)

40V

漏源击穿电压

-250V

宽度

1.8mm

高度

1.3mm

长度

3.1mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅