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首页 全部分类 ZXMC4A16DN8TA vs ZXMC3A17DN8TA

ZXMC4A16DN8TA备选型号: ZXMC3A17DN8TA

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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 端子位置
  • 功率 - 最大
  • 阈值电压
  • Diodes Incorporated
    ZXMC4A16DN8TA
    Diodes Incorporated
    MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    73.992255mg
    SILICON
    5.2A Ta 4.7A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2012
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    60mOhm
    Matte Tin (Sn)
    1.8W
    鸥翼
    260
    4.7A
    30
    8
    2
    Dual
    增强型MOSFET
    2.1W
    3.7 ns
    N and P-Channel Complementary
    SWITCHING
    50m Ω @ 4.5A, 10V, 60m Ω @ 3.8A, 10V
    1V @ 250mA (Min)
    770pF @ 40V 1000pF @ 20V
    17nC @ 10V
    5.5ns
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    18 ns
    5.2A
    20V
    4A
    40V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    ZXMC3A17DN8TA
    Diodes Incorporated
    MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    73.992255mg
    SILICON
    4.1A 3.4A
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    70mOhm
    Matte Tin (Sn)
    2.1W
    鸥翼
    260
    5.4A
    40
    8
    2
    -
    增强型MOSFET
    2.1W
    1.7 ns
    N and P-Channel
    SWITCHING
    50m Ω @ 7.8A, 10V
    1V @ 250μA (Min)
    600pF @ 25V
    12.2nC @ 10V
    2.9ns
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    8.7 ns
    5.4A
    20V
    -
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    17 Weeks
    DUAL
    1.25W
    1V
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