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首页 全部分类 ZXMD63N02XTA vs ZXMD63C02XTA

ZXMD63N02XTA备选型号: ZXMD63C02XTA

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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 通道数量
  • 极性/通道类型
  • Diodes Incorporated
    ZXMD63N02XTA
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8-MSOP
    表面贴装
    表面贴装
    8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)
    8
    139.989945mg
    SILICON
    2.5A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    130mOhm
    Matte Tin (Sn)
    20V
    1.04W
    鸥翼
    260
    2.4A
    40
    8
    增强型MOSFET
    1.25W
    3.4 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    130m Ω @ 1.7A, 4.5V
    3V @ 250μA
    700pF @ 15V
    6nC @ 4.5V
    8.1ns
    8.1 ns
    2.4A
    12V
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    950μm
    3.1mm
    3.1mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    ZXMD63C02XTA
    Diodes Incorporated
    MOSFET N/P-CH 20V 8-MSOP
    表面贴装
    表面贴装
    8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)
    8
    139.989945mg
    -
    2.4A 1.7A
    -
    Cut Tape (CT)
    -
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    270mOhm
    Matte Tin (Sn)
    -
    1.04W
    鸥翼
    260
    -
    40
    8
    增强型MOSFET
    1.25W
    3.4 ns
    N and P-Channel
    SWITCHING
    130m Ω @ 1.7A, 4.5V
    700mV @ 250μA
    350pF @ 15V
    6nC @ 4.5V
    9.6ns
    9.6 ns
    1.7A
    12V
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    950μm
    3.1mm
    3.1mm
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    150°C
    -55°C
    低阈值
    DUAL
    2
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
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