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首页 全部分类 ZXMD63P02XTA vs IRF7555TRPBF

ZXMD63P02XTA备选型号: IRF7555TRPBF

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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
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  • 最小工作温度
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 功率 - 最大
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • Diodes Incorporated
    ZXMD63P02XTA
    Diodes Incorporated
    MOSFET Dual 20V P Chl HDMOS
    表面贴装
    表面贴装
    8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)
    8
    139.989945mg
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    270mOhm
    Matte Tin (Sn)
    低阈值
    -20V
    1.04W
    鸥翼
    260
    -1.7A
    40
    8
    增强型MOSFET
    1.25W
    3.4 ns
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    270m Ω @ 1.2A, 4.5V
    700mV @ 250μA (Min)
    290pF @ 15V
    5.25nC @ 4.5V
    9.6ns
    20V
    9.6 ns
    1.7A
    12V
    -20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    950μm
    3.1mm
    3.1mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7555TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2P-CH 20V 4.3A MICRO8
    表面贴装
    表面贴装
    8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)
    8
    -
    -
    4.3A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2005
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    55mOhm
    -
    -
    -20V
    1.25W
    -
    -
    -4.3A
    -
    -
    -
    1.25W
    10 ns
    2 P-Channel (Dual)
    -
    55mOhm @ 4.3A, 4.5V
    1.2V @ 250μA
    1066pF @ 10V
    15nC @ 5V
    46ns
    20V
    64 ns
    -4.3A
    12V
    -20V
    -
    逻辑电平门
    860μm
    3mm
    3mm
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    Micro8™
    HEXFET®
    150°C
    -55°C
    IRF7555PBF
    Dual
    1.25W
    1.066nF
    55mOhm
    55 mΩ
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