ZXTC2062E6TA备选型号: DMMT5401-7-F
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- 工厂交货时间
- 包装/外壳
- 安装类型
- 底架
- 触点镀层
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 频率
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 极性
- 元素配置
- 功率耗散
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 增益带宽积
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 转换频率
- 最大击穿电压
- 频率转换
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 宽度
- 长度
- 高度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 容差
- 电阻
- 额定功率
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 箱码(公制)
- 箱码(英制)
- 达到SVHC
- Bipolar Transistors - BJT 20V 1A Complementary Med power transistor13 WeeksSOT-23-6表面贴装表面贴装Tin67.994566mgSILICON2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2006e3yes活跃1 (Unlimited)6EAR991.7W鸥翼260215MHz40Z20626NPN, PNPDual1.7W1.1WSWITCHING290MHzNPN, PNP20V3.5A280 @ 1A 2V / 170 @ 1A 2V50nA ICBO190mV @ 200mA, 4A / 250mV @ 175mA, 3.5A215MHz20V215MHz 290MHz100V7V1.8mm3.1mm1.3mm无ROHS3 Compliant无铅---------
- TRANS 2PNP 150V 0.2A SOT2619 WeeksSOT-23-6表面贴装表面贴装Tin629.993795mgSILICON150V-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2007e3yes活跃1 (Unlimited)6EAR99300mW鸥翼260300MHz40DMMT54016PNPDual300mW-SWITCHING300MHz2 PNP (Dual) Matched Pair150V200mA60 @ 10mA 5V50nA ICBO500mV @ 5mA, 50mA100MHz150V-160V5V800μm1.6mm450μm无ROHS3 Compliant无铅-500mV1%56.2kOhm100mW-150V-200mA16080603无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMMT5401-7-F | Diodes Incorporated | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列 | SOT-23-6 | TRANS 2PNP 150V 0.2A SOT26 | 对比 |
![]() | ZXTC2061E6TA | Diodes Incorporated | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列 | SOT-23-6 | TRANS NPN/PNP 12V 5A/3.5A SOT23 | 对比 |
| RN1602(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置 | SC-74, SOT-457 | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin SM T/R | 对比 |



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