Diodes Incorporated ZXTC2062E6TA
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ZXTC2062E6TA
671-ZXTC2062E6TA
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
SOT-23-6
大陆
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Bipolar Transistors - BJT 20V 1A Complementary Med power transistor
--最小包装量--
ZXTC2062E6TA详情
Diodes Incorporated ZXTC2062E6TA重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
13 Weeks
包装/外壳
SOT-23-6
安装类型
表面贴装
底架
表面贴装
触点镀层
Tin
引脚数
6
质量
7.994566mg
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
Current-Collector (Ic) (Max)
4A 3.5A
Collector-Emitter Breakdown Voltage
20V
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2006
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
1.7W
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
频率
215MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
Z2062
引脚数量
6
极性
NPN, PNP
元素配置
Dual
功率耗散
1.7W
功率 - 最大
1.1W
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
290MHz
晶体管类型
NPN, PNP
集电极发射器电压(VCEO)
20V
最大集电极电流
3.5A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
280 @ 1A 2V / 170 @ 1A 2V
最大集极截止电流
50nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
190mV @ 200mA, 4A / 250mV @ 175mA, 3.5A
转换频率
215MHz
最大击穿电压
20V
频率转换
215MHz 290MHz
集电极基极电压(VCBO)
100V
发射极基极电压 (VEBO)
7V
宽度
1.8mm
长度
3.1mm
高度
1.3mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
ZXTC2062E6TA拓展信息
Diodes Incorporated
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