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首页 全部分类 ZXTC2062E6TA vs RN1602(TE85L,F)

ZXTC2062E6TA备选型号: RN1602(TE85L,F)

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  • 最大击穿电压
  • 频率转换
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  • 发射极基极电压 (VEBO)
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  • 高度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 电阻基(R1)
  • 连续集电极电流
  • 电阻-发射极基极(R2)
  • Diodes Incorporated
    ZXTC2062E6TA
    Diodes Incorporated
    Bipolar Transistors - BJT 20V 1A Complementary Med power transistor
    13 Weeks
    SOT-23-6
    表面贴装
    表面贴装
    Tin
    6
    7.994566mg
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    1.7W
    鸥翼
    260
    215MHz
    40
    Z2062
    6
    NPN, PNP
    Dual
    1.7W
    1.1W
    SWITCHING
    290MHz
    NPN, PNP
    20V
    3.5A
    280 @ 1A 2V / 170 @ 1A 2V
    50nA ICBO
    190mV @ 200mA, 4A / 250mV @ 175mA, 3.5A
    215MHz
    20V
    215MHz 290MHz
    100V
    7V
    1.8mm
    3.1mm
    1.3mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    RN1602(TE85L,F)
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin SM T/R
    11 Weeks
    SC-74, SOT-457
    表面贴装
    表面贴装
    -
    6
    -
    -
    50V
    -
    Cut Tape (CT)
    2010
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    300mW
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    NPN
    Dual
    -
    -
    -
    -
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
    50V
    100mA
    50 @ 10mA 5V
    100nA ICBO
    300mV @ 250μA, 5mA
    -
    50V
    250MHz
    -
    10V
    -
    -
    -
    无
    符合RoHS标准
    -
    150°C
    -55°C
    10k Ω
    100mA
    10k Ω
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