GSI的存储器_正品采购_价格信息

品牌是'GSI' (10000)

产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	包装/外壳	表面安装	引脚数	终端数量																																														操作温度	包装	系列	JESD-609代码	无铅代码	ECCN 代码	类型	端子表面处理	附加功能	HTS代码	子类别	技术	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	端子间距	Reach合规守则	JESD-30代码	资历状况	电源	温度等级	内存大小	端口的数量	操作模式	电源电流-最大值	访问时间	建筑学	组织结构	输出特性	座位高度-最大	内存宽度	地址总线宽度	产品类别	密度	待机电流-最大值	记忆密度	筛选水平	并行/串行	I/O类型	内存IC类型	待机电压-最小值	电压 - 供电（最大值）	电压 - 供电（最小值）	产品类别	长度
GS8342T06BGD-350	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II+	Details	DDR	Commercial grade				350 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	8 Bit	1.9 V	表面贴装	有	350 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	0 to 85 °C	Tray	GS8342T06BGD				SigmaQuad-II+				Memory & Data Storage												36 Mbit	1		565 mA		Pipelined	4 M x 8				21 Bit	SRAM	36 Mbit			Commercial							SRAM
GS8161Z18DD-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-165	YES	165	165	2.7, 3.6 V	有	200 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	SDR	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	1000000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	6.5 ns	85 °C	无	GS8161Z18DD-200I	1048576 words	2.5 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.26	BGA	Industrial grade	153.8@Flow-Through/200@Pipelined MHz	FBGA	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	18 Bit	-40 to 85 °C	Tray	GS8161Z18DD			3A991.B.2.B	NBT		FLOW THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE, ALSO OPERATES AT 3.3V	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165			INDUSTRIAL	18 Mbit		SYNCHRONOUS	215 mA	6.5@Flow-Through/3@P		1 M x 18		1.4 mm	18		SRAM			18	Industrial	PARALLEL		ZBT SRAM		2.7 V	2.3 V	SRAM	15 mm	13 mm
GS8321Z18AGD-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-165	YES	165	165	2.3, 3 V	Synchronous	2 MWords	18 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	250 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	18	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	3	2000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	85 °C	有	GS8321Z18AGD-250	2.5 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.3	BGA	Commercial grade	181.8@Flow-Through/250@Pipelined MHz	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	0 to 85 °C	Tray	GS8321Z18AGD	e1	有	3A991.B.2.B	NBT	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	IT ALSO OPERATES AT 3 V TO 3.6 V SUPPLY VOLTAGE		Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	260	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格		OTHER	36 Mbit	2	SYNCHRONOUS	215 mA, 255 mA	5.5 ns	Flow-Through/Pipelined	2 M x 18		1.4 mm	18	21 Bit	SRAM	36 Mbit		37748736 bit	Commercial	PARALLEL		ZBT SRAM		2.7 V	2.3 V	SRAM	15 mm	13 mm
GS8342D19BGD-350	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	DDR	Commercial grade				350 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	2 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	350 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	0 to 85 °C	Tray	GS8342D19BGD				SigmaQuad-II+ B4				Memory & Data Storage												36 Mbit	2		665 mA		Pipelined	2 M x 18				19 Bit	SRAM	36 Mbit			Commercial							SRAM
GS8342D06BD-400I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-165	YES	165	165	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	8 Bit	1.9 V	表面贴装	有	400 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	DDR	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	4000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	-40 °C	0.45 ns	85 °C	无	GS8342D06BD-400I	400 MHz	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.22	BGA	Industrial grade	400 MHz	FBGA	QDR	-40 to 100 °C	Tray	GS8342D06BD			3A991.B.2.B	SigmaQuad-II+		流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL		1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格	1.5/1.8,1.8 V	INDUSTRIAL	36 Mbit	2	SYNCHRONOUS	715 mA		Pipelined	4 M x 8	3-STATE	1.4 mm	8	20 Bit	SRAM	36 Mbit	0.235 A	33554432 bit	Industrial	PARALLEL	SEPARATE	QDR SRAM	1.7 V	1.9 V	1.7 V	SRAM	15 mm	13 mm
GS8342D19BD-350	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-165	YES	165	165	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	2 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	350 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	N	DDR	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	2000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	未说明	0.45 ns	70 °C	无	GS8342D19BD-350	350 MHz	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.22	BGA	Commercial grade	350 MHz	FBGA	0 to 85 °C	Tray	GS8342D19BD			3A991.B.2.B	SigmaQuad-II+ B4		流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格	1.5/1.8,1.8 V	COMMERCIAL	36 Mbit	2	SYNCHRONOUS	665 mA		Pipelined	2 M x 18	3-STATE	1.4 mm	18	19 Bit	SRAM	36 Mbit	0.22 A	37748736 bit	Commercial	PARALLEL	SEPARATE	QDR SRAM	1.7 V	1.9 V	1.7 V	SRAM	15 mm	13 mm
GS8342DT11BD-350I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	9 Bit	1.9 V	有	350 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	DDR				350 MHz	-40 to 100 °C	Tray	GS8342DT11BD				SigmaQuad-II+				Memory & Data Storage												36 Mbit			675 mA	0.45		4 M x 9					SRAM			36								SRAM
GS88118CGT-300I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	100	512 kWords	18 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	,	有	GS88118CGT-300I	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.8	Industrial grade				TQFP	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	-40 to 85 °C																	compliant						1				Flow-Through/Pipelined							9 Mbit			Industrial
GS8160E32DGT-150IV	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	100	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	Industrial grade				150 MHz	TQFP	SDR	表面贴装	2, 2.7 V	32 Bit	512 kWords	Synchronous	1.7, 2.3 V	1.8, 2.5 V	有	150 MHz	+ 100 C	2.7 V	- 40 C	18	1.7 V	-40 to 85 °C	Tray	GS8160E32DGT				DCD Synchronous Burst				Memory & Data Storage												18 Mbit	4		195 mA, 210 mA	7.5 ns	Flow-Through/Pipelined	512 k x 32				19 Bit	SRAM	18 Mbit			Industrial							SRAM
GS8160E18DGT-200IV	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	100	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	Industrial grade				200 MHz	TQFP	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	1 MWords	18 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	有	200 MHz	+ 100 C	2.7 V	- 40 C	18	1.7 V	-40 to 85 °C	Tray	GS8160E18DGT				DCD Synchronous Burst				Memory & Data Storage												18 Mbit	2		210 mA, 215 mA	6.5 ns		1 M x 18					SRAM	18 Mbit			Industrial							SRAM
GS8182D18BGD-333	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-165	YES	165	165	DDR	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	3	1000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	0.45 ns	70 °C	有	GS8182D18BGD-333	1048576 words	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.18	BGA	有	333 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	Details		Tray	GS8182D18BGD	e1	有	3A991.B.2.B	SigmaQuad-II	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	260	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格		COMMERCIAL	18 Mbit		SYNCHRONOUS	515 mA			1 M x 18		1.4 mm	18		SRAM			18874368 bit		PARALLEL		DDR SRAM		1.9 V	1.7 V	SRAM	15 mm	13 mm
GS8672Q38BE-450I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	BGA-165	YES	165	165	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	2000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	-40 °C	0.45 ns	85 °C	无	GS8672Q38BE-450I	450 MHz	2097152 words	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	Obsolete	GSI TECHNOLOGY	5.92	BGA	有	450 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	QDR-II		Tray	GS8672Q38BE			3A991.B.2.B	SigmaQuad-II+ B2		流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL		1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格	1.5,1.8 V	INDUSTRIAL	72 Mbit		SYNCHRONOUS	2.07 A			2 M x 36	3-STATE	1.4 mm	36		SRAM			72		PARALLEL	SEPARATE	QDR SRAM	1.7 V	1.9 V	1.7 V	SRAM	15 mm	13 mm
GS8342DT10BGD-333	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SigmaQuad-II+	Details	DDR	Commercial grade				333 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	Synchronous	4 MWords	9 Bit	表面贴装	有	333 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	0 to 85 °C	Tray	GS8342DT10BGD				SigmaQuad-II+ B4				Memory & Data Storage												36 Mbit	2		605 mA		Pipelined	4 M x 9				20 Bit	SRAM	36 Mbit			Commercial							SRAM
GS8182D09BD-333	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	Commercial grade				333 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	2 MWords	9 Bit	1.9 V	表面贴装	GSI技术	SigmaQuad-II	DDR	有	333 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	0 to 70 °C	Tray	GS8182D09BD				SigmaQuad-II				Memory & Data Storage												18 Mbit	2		515 mA		Pipelined	2 M x 9				19 Bit	SRAM	18 Mbit			Commercial							SRAM
GS8182S18BGD-375	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaSIO DDR-II	Details	DDR	Commercial grade				375 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	1 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	375 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	18	1.7 V	0 to 70 °C	Tray	GS8182S18BGD				SigmaSIO DDR-II				Memory & Data Storage												18 Mbit	2		680 mA		Pipelined	1 M x 18				19 Bit	SRAM	18 Mbit			Commercial							SRAM
GS8342TT10BGD-300I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SigmaDDR-II+	Details	DDR	Industrial grade				300 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	Synchronous	4 MWords	9 Bit	表面贴装	有	300 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	-40 to 100 °C	Tray	GS8342TT10BGD				SigmaDDR-II+ B2				Memory & Data Storage												36 Mbit	1		460 mA		Pipelined	4 M x 9				21 Bit	SRAM	36 Mbit			Industrial							SRAM
GS8182D37BD-300I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-165	YES	165	165	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	512 kWords	36 Bit	1.9 V	表面贴装	有	300 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	DDR	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	512000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	-40 °C	未说明	0.45 ns	85 °C	无	GS8182D37BD-300I	300 MHz	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.21	BGA	Industrial grade	300 MHz	FBGA	-40 to 85 °C	Tray	GS8182D37BD	e0	无	3A991.B.2.B	SigmaQuad II+	Tin/Lead (Sn/Pb)	流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	not_compliant	R-PBGA-B165	不合格	1.5/1.8,1.8 V	INDUSTRIAL	18 Mbit	2	SYNCHRONOUS	545 mA		Pipelined	512 k x 36	3-STATE	1.4 mm	36	17 Bit	SRAM	18 Mbit	0.165 A	18874368 bit	Industrial	PARALLEL	SEPARATE	DDR SRAM	1.7 V	1.9 V	1.7 V	SRAM	15 mm	10 mm
GS8182D37BD-375I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-165	YES	165	165	GS8182D37BD-375I	无	85 °C	0.45 ns	未说明	-40 °C	BGA165,11X15,40	PLASTIC/EPOXY	512000	GRID ARRAY, LOW PROFILE	LBGA, BGA165,11X15,40	375 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	BGA	5.21	GSI TECHNOLOGY	活跃	GSI技术	RECTANGULAR	LBGA	1.8 V	524288 words	375 MHz				e0	无	3A991.B.2.B		Tin/Lead (Sn/Pb)	流水线结构	8542.32.00.41	SRAMs	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	not_compliant	R-PBGA-B165	不合格	1.5/1.8,1.8 V	INDUSTRIAL	18 Mbit		SYNCHRONOUS	645 mA			512 k x 36	3-STATE	1.4 mm	36				0.18 A	18874368 bit		PARALLEL	SEPARATE	DDR SRAM	1.7 V	1.9 V	1.7 V		15 mm	10 mm
GS88136CGD-300	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	SDR	Details	SyncBurst	GSI技术	GSI技术	Parallel	Commercial grade				200@Flow-Through/300@Pipelined MHz	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	256 kWords	36 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	300 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	36	2.3 V	0 to 70 °C	Tray	GS88136CGD				Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage												9 Mbit	1		165 mA, 225 mA	5 ns	Flow-Through/Pipelined	256 k x 36				17 Bit	SRAM	9 Mbit			Commercial							SRAM
GS8342Q10BGD-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	DDR	Industrial grade				250 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	9 Bit	1.9 V	表面贴装	有	250 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	-40 to 100 °C	Tray	GS8342Q10BGD				SigmaQuad-II+ B2				Memory & Data Storage												36 Mbit	2		675 mA		Pipelined	4 M x 9				21 Bit	SRAM	36 Mbit			Industrial							SRAM
GS816118DD-150IV	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	1 MWords	18 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	150 MHz	+ 100 C	2.7 V	- 40 C	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	Industrial grade				133.3@Flow-Through/150@Pipelined MHz	FBGA	SDR	-40 to 100 °C																						18 Mbit	2		180 mA, 200 mA	7.5 ns	Flow-Through/Pipelined	1 M x 18				20 Bit		18 Mbit			Industrial
GS8342T18BGD-400	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165				400 MHz	FBGA	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	18 Bit	1.9 V	有	400 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaCIO DDR-II	Details	DDR	0 to 85 °C	Tray	GS8342T18BGD				SigmaDDR-II B2				Memory & Data Storage												36 Mbit			600 mA	0.45		2 M x 18					SRAM			36								SRAM
GS8342R08BGD-300	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaCIO DDR-II	Details	DDR	Commercial grade				表面贴装	1.9 V	8 Bit	4 MWords	Synchronous	1.7 V	1.8000 V	DDR	FBGA	300 MHz	有	300 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	0 to 85 °C	Tray	GS8342R08BGD				SigmaDDR-II B4				Memory & Data Storage												36 Mbit	1		450 mA		Pipelined	4 M x 8				20 Bit	SRAM	36 Mbit			Commercial							SRAM
GS8342Q36BGD-300I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-165	YES	165	165	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	1 MWords	36 Bit	1.9 V	表面贴装	DDR	Details	SigmaQuad-II	GSI技术	GSI技术	Parallel	SMD/SMT	1.7 V	15	- 40 C	1.9 V	+ 85 C	300 MHz	有	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	1000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	-40 °C	未说明	0.45 ns	85 °C	有	GS8342Q36BGD-300I	300 MHz	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.37	BGA	Industrial grade	300 MHz	-40 to 100 °C	Tray	GS8342Q36BGD			3A991.B.2.B	SigmaQuad-II		流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格	1.5/1.8,1.8 V	INDUSTRIAL	36 Mbit	2	SYNCHRONOUS	980 mA		Pipelined	1 M x 36	3-STATE	1.4 mm	36	19 Bit	SRAM	36 Mbit	0.235 A	37748736 bit	Industrial	PARALLEL	SEPARATE	QDR SRAM	1.7 V	1.9 V	1.7 V	SRAM	15 mm	13 mm
GS832236AGB-200	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-119	YES	119	119	36 Bit	1 MWords	Synchronous	2.3, 3 V	2.5, 3.3 V	SDR	FBGA	有	200 MHz	+ 70 C	3.6 V	SDR	Details	SyncBurst	GSI技术	GSI技术	Parallel	SMD/SMT	2.3 V	14	0 C	BGA, BGA119,7X17,50	网格排列	3	1000000	PLASTIC/EPOXY	BGA119,7X17,50	未说明	6.5 ns	70 °C	有	GS832236AGB-200	200 MHz	2.5 V	BGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.12	BGA	Commercial grade	表面贴装	2.7, 3.6 V	0 to 85 °C	Tray	GS832236AGB	e1	有	3A991.B.2.B	Pipeline/Flow Through	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY, PIPELINED ARCHITECTURE, FLOW THROUGH	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	260	1	1.27 mm	compliant	R-PBGA-B119	不合格	2.5/3.3 V	COMMERCIAL	36 Mbit	4	SYNCHRONOUS	205 mA, 240 mA	6.5 ns	Flow-Through/Pipelined	1 M x 36	3-STATE	1.99 mm	36		SRAM	36 Mbit	0.03 A	37748736 bit	Commercial	PARALLEL	COMMON	缓存SRAM	2.3 V	2.7 V	2.3 V	SRAM	22 mm	14 mm