GSI的存储器_正品采购_价格信息

品牌是'GSI' (10000)

产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	安装类型	包装/外壳	表面安装	引脚数	供应商器件包装	终端数量																厂商																																			操作温度	包装	系列	JESD-609代码	无铅代码	终端	ECCN 代码	类型	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	HTS代码	子类别	技术	电压 - 供电	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	端子间距	Reach合规守则	频率	JESD-30代码	资历状况	电源	温度等级	内存大小	端口的数量	操作模式	时钟频率	电源电流-最大值	访问时间	内存格式	内存接口	建筑学	组织结构	输出特性	座位高度-最大	内存宽度	写入周期时间 - 字符、页面	地址总线宽度	产品类别	密度	待机电流-最大值	记忆密度	筛选水平	并行/串行	I/O类型	内存IC类型	待机电压-最小值	电压 - 供电（最大值）	电压 - 供电（最小值）	访问模式	产品类别	组织的记忆
GS8342D36AE-333I	GSI	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	165	165	1000000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	0.45 ns	85 °C	无	GS8342D36AE-333I	1048576 words	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	GSI技术		Obsolete	GSI TECHNOLOGY	5.78	BGA					LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE					无		3A991.B.2.B					流水线结构	8542.32.00.41		CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant		R-PBGA-B165	不合格		INDUSTRIAL			SYNCHRONOUS							1MX36		1.5 mm	36						37748736 bit		PARALLEL		DDR SRAM		1.95 V	1.7 V				17 mm	15 mm
GS880Z36BGT-150V	GSI	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	100	1.8 V	LQFP	RECTANGULAR	Rochester Electronics LLC	接触制造商	ROCHESTER ELECTRONICS LLC	5.62							LQFP,	FLATPACK, LOW PROFILE	256000	PLASTIC/EPOXY	7.5 ns	70 °C	GS880Z36BGT-150V	262144 words							3A991.B.2.A					FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 2.5V SUPPLY	8542.32.00.41		CMOS		QUAD	鸥翼		1	0.65 mm	unknown		R-PQFP-G100			COMMERCIAL			SYNCHRONOUS							256KX36		1.6 mm	36						9437184 bit		PARALLEL		ZBT SRAM		2 V	1.7 V				20 mm	14 mm
GS842Z36AGB-150	GSI	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	119	119	Compliant	BGA	5.7	GSI TECHNOLOGY	Obsolete	GSI技术	RECTANGULAR	BGA	3.3 V	131072 words	GS842Z36AGB-150	有	70 °C	10 ns	未说明		PLASTIC/EPOXY	128000	3	网格排列	BGA,								e1	有		3A991.B.2.B		锡银铜	70 °C	0 °C	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE	8542.32.00.41		CMOS	3.3 V	BOTTOM	BALL	260	1	1.27 mm	compliant	150 MHz	R-PBGA-B119	不合格		COMMERCIAL	512 kB	4	SYNCHRONOUS			10 ns				128KX36		1.99 mm	36		17 b		4.5 Mb		4718592 bit		PARALLEL		ZBT SRAM		3.6 V	3 V				22 mm	14 mm	无	无SVHC
GS4576C09GM-24I	GSI	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	144	-40 °C	未说明	95 °C	有	GS4576C09GM-24I	67108864 words	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	GSI技术	活跃		GSI TECHNOLOGY	5.09						LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	64000000	PLASTIC/EPOXY												自动刷新			CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant		R-PBGA-B144			INDUSTRIAL		1	SYNCHRONOUS							64MX9		1.25 mm	9						603979776 bit				DDR DRAM		1.9 V	1.7 V	多库页面突发			18.5 mm	11 mm
GS4576C09GM-18	GSI	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	144	5.09	GSI TECHNOLOGY	活跃	GSI技术	RECTANGULAR	LBGA	1.8 V	67108864 words	GS4576C09GM-18		有						LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	64000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	95 °C												自动刷新			CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant		R-PBGA-B144			OTHER		1	SYNCHRONOUS							64MX9		1.25 mm	9						603979776 bit				DDR DRAM		1.9 V	1.7 V	多库页面突发			18.5 mm	11 mm
GS88218BB-150I	GSI	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	119	119			Non-Compliant	BGA,	网格排列	3	512000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	7.5 ns	85 °C	无	GS88218BB-150I	524288 words	2.5 V	BGA		RECTANGULAR	GSI技术	Obsolete	GSI TECHNOLOGY	5.7	BGA						e0			3A991.B.2.B		锡铅	85 °C	-40 °C	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY	8542.32.00.41		CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1	1.27 mm	unknown		R-PBGA-B119	不合格		INDUSTRIAL		2	SYNCHRONOUS							512KX18		1.99 mm	18		19 b		9 Mb		9437184 bit		PARALLEL		缓存SRAM		2.7 V	2.3 V				22 mm	14 mm	无
GS81314PT37GK-933I	GSI	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	260	5.79							HBGA,	GRID ARRAY, HEAT SINK/SLUG	4000000	PLASTIC/EPOXY	GS81314PT37GK-933I	4194304 words	1.3 V	HBGA	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY							3A991.B.2.B						8542.32.00.41		CMOS		BOTTOM	BALL		1	1 mm	compliant		R-PBGA-B260						SYNCHRONOUS							4MX36		2.3 mm	36						150994944 bit		PARALLEL		DDR SRAM		1.35 V	1.25 V				22 mm	14 mm
GS816136BD-200	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	165	165	未说明	6.5 ns	70 °C	无	GS816136BD-200	524288 words	2.5 V	LBGA	RECTANGULAR	GSI技术	Obsolete		GSI TECHNOLOGY	5.6	BGA					LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	512000	PLASTIC/EPOXY				e0	无		3A991.B.2.B		Tin/Lead (Sn/Pb)			FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY	8542.32.00.41		CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	not_compliant		R-PBGA-B165	不合格		COMMERCIAL			SYNCHRONOUS							512KX36		1.4 mm	36						18874368 bit		PARALLEL		缓存SRAM		2.7 V	2.3 V				15 mm	13 mm
GS8162Z36DGD-200	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-165	YES	165	165	Synchronous	512 kWords	36 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	200 MHz	+ 70 C	3.6 V	0.413935 oz		0 C	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	512000	PLASTIC/EPOXY	未说明	6.5 ns	70 °C	有	GS8162Z36DGD-200	2.5 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.22	BGA	Commercial grade			153.8@Flow-Through/200@Pipelined MHz	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	0 to 85 °C	Tray	GS8162Z36DGD				3A991.B.2.B	NBT Pipeline/Flow Through				FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant		R-PBGA-B165	不合格		COMMERCIAL	18 Mbit	4	SYNCHRONOUS		210 mA	6.5 ns			Flow-Through/Pipelined	512 k x 36		1.4 mm	36		19 Bit	SRAM	18 Mbit		18874368 bit	Commercial	PARALLEL		ZBT SRAM		2.7 V	2.3 V		SRAM		15 mm	13 mm
GS8342Q18BD-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	YES	165	165	70 °C	无	GS8342Q18BD-250	250 MHz	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.33	BGA	Commercial grade				250 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	2 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	2000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40		0.45 ns	0 to 85 °C						3A991.B.2.B					流水线结构	8542.32.00.41	SRAMs	CMOS		BOTTOM	BALL		1	1 mm	compliant		R-PBGA-B165	不合格	1.5/1.8,1.8 V	COMMERCIAL		2	SYNCHRONOUS		0.665 mA				Pipelined	2MX18	3-STATE	1.4 mm	18		20 Bit		36 Mbit	0.205 A	37748736 bit	Commercial	PARALLEL	SEPARATE	QDR SRAM	1.7 V	1.9 V	1.7 V				15 mm	13 mm
GS84032AGT-150	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	100	100			LQFP, QFP100,.63X.87	FLATPACK, LOW PROFILE	3	128000	PLASTIC/EPOXY	QFP100,.63X.87	未说明	10 ns	70 °C	有	GS84032AGT-150	150 MHz	131072 words	3.3 V	LQFP		RECTANGULAR	GSI技术	Obsolete	GSI TECHNOLOGY	5.67	QFP						e3	有		3A991.B.2.B		纯哑光锡			FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE	8542.32.00.41	SRAMs	CMOS		QUAD	鸥翼	260	1	0.65 mm	compliant		R-PQFP-G100	不合格	2.5/3.3,3.3 V	COMMERCIAL			SYNCHRONOUS		0.28 mA					128KX32	3-STATE	1.6 mm	32					0.02 A	4194304 bit		PARALLEL	COMMON	缓存SRAM	3.14 V	3.6 V	3 V				20 mm	14 mm
GS74116AX-10	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	BGA-48	YES	48	48	3.6 V	0 C	135	3 V	SMD/SMT	Parallel		GSI技术	GSI技术	N	SDR	TFBGA, BGA48,6X8,30	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	3	256000	PLASTIC/EPOXY	BGA	5.18	GSI TECHNOLOGY	活跃	RECTANGULAR	TFBGA	3.3 V	GS74116AX-10	无	70 °C	10 ns	未说明	BGA48,6X8,30	Commercial grade			FBGA	3.3000 V	3 V	Asynchronous	256 kWords	16 Bit	3.6 V	表面贴装	+ 70 C	0 to 70 °C		GS74116AX		无		3A991.B.2.B	Asynchronous					8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1	0.75 mm	compliant		R-PBGA-B48	不合格	3.3 V	COMMERCIAL	4 Mbit	1	ASYNCHRONOUS		105 mA	10 ns				256 k x 16	3-STATE	1.2 mm	16		18 Bit	SRAM	4 Mbit	0.01 A	4194304 bit	Commercial	PARALLEL	COMMON	标准SRAM	3 V	3.6 V	3 V		SRAM		10 mm	6 mm
GS864436GE-166	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-165	YES	165	165	Synchronous	2 MWords	36 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	166 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C		15	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	3	2000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	7 ns	70 °C	有	GS864436GE-166	2.5 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.14	BGA	Commercial grade			142.8@Flow-Through/166@Pipelined MHz	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	0 to 70 °C	Tray	GS864436GE	e1	有		3A991.B.2.B	同步突发	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)			FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES WITH 3.3V SUPPLY	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	260	1	1 mm	compliant		R-PBGA-B165	不合格		COMMERCIAL	72 Mbit	4	SYNCHRONOUS		260 mA, 310 mA	8 ns			Flow-Through/Pipelined	2 M x 36		1.5 mm	36		21 Bit	SRAM	72 Mbit		75497472 bit	Commercial	PARALLEL		缓存SRAM		2.7 V	2.3 V		SRAM		17 mm	15 mm
GS74116AGP-12	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	24 Weeks, 3 Days	TSOP-44	YES	44	44	3.6 V	表面贴装	Compliant	SRAM	有	-	+ 70 C	3.6 V	0.016882 oz		0 C	135	3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	TSOP2, TSOP44,.46,32	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	3	256000	PLASTIC/EPOXY	TSOP44,.46,32	未说明	12 ns	70 °C	有	GS74116AGP-12	3.3 V	TSOP2	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	1.71	TSOP2	Commercial grade			TSOP-II	3.3000 V	3 V	Asynchronous	256 kWords	16 Bit	0 to 70 °C		GS74116AGP	e3	有	SMD/SMT	3A991.B.2.B	Asynchronous	Matte Tin (Sn)	70 °C	0 °C		8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	3.3 V	DUAL	鸥翼	260	1	0.8 mm	compliant		R-PDSO-G44	不合格	3.3 V	COMMERCIAL	512 kB	1	ASYNCHRONOUS		90 mA	12 ns				256 k x 16	3-STATE	1.2 mm	16		18 Bit	SRAM	4 Mbit	0.01 A	4194304 bit	Commercial	PARALLEL	COMMON	标准SRAM	3 V	3.6 V	3 V		SRAM		18.41 mm	10.16 mm	无	无SVHC
GS8342D36BGD-300I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	表面贴装	BGA-165	YES	165	165-FPBGA (15x13)	165	Synchronous	1 MWords	36 Bit	表面贴装	有	300 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	GSI Technology Inc.	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	Details	DDR	Tray	GS8342D	活跃	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	1000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	-40 °C	未说明	0.45 ns	85 °C	有	GS8342D36BGD-300I	300 MHz	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.32	BGA	Industrial grade	300 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	-40 to 100 °C	Tray	GS8342D36BGD				3A991.B.2.B	SigmaQuad-II				流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	SRAM - Quad Port, Synchronous	1.7V ~ 1.9V	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant		R-PBGA-B165	不合格	1.5/1.8,1.8 V	INDUSTRIAL	36 Mbit	2	SYNCHRONOUS	300 MHz	685 mA		SRAM	Parallel	Pipelined	1 M x 36	3-STATE	1.4 mm	36	-	18 Bit	SRAM	36 Mbit	0.21 A	37748736 bit	Industrial	PARALLEL	SEPARATE	QDR SRAM	1.7 V	1.9 V	1.7 V		SRAM	1M x 36	15 mm	13 mm
GS74117AX-12I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	6 Weeks	BGA-119	YES	48	48	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	135	3 V	SMD/SMT	Parallel		GSI技术	GSI技术	N	SDR	TFBGA, BGA48,6X8,30	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	BGA	5.23	GSI TECHNOLOGY	活跃	RECTANGULAR	TFBGA	3.3 V	GS74117AX-12I	无	85 °C	12 ns	未说明	-40 °C	BGA48,6X8,30	PLASTIC/EPOXY	256000	3	Industrial grade			FBGA	3.3000 V	3 V	Asynchronous	256 kWords	16 Bit	3.6 V	表面贴装	-40 to 85 °C		GS74117AX		无		3A991.B.2.B	Asynchronous					8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1	0.75 mm	compliant		R-PBGA-B48	不合格	3.3 V	INDUSTRIAL	4 Mbit	1	ASYNCHRONOUS		100 mA	12 ns				256 k x 16	3-STATE	1.2 mm	16		18 Bit	SRAM	4 Mbit	0.02 A	4194304 bit	Industrial	PARALLEL	COMMON	标准SRAM	3 V	3.6 V	3 V		SRAM		10 mm	6 mm
GS71108AU-12	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	9 Weeks, 3 Days	YES	48	48	PLASTIC/EPOXY	BGA48,6X8,30	未说明	12 ns	70 °C	无	GS71108AU-12	3.3 V	TFBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.22	BGA	Commercial grade				FBGA	3.3000 V	3 V	Asynchronous	128 kWords	8 Bit	3.6 V	表面贴装	GSI技术	GSI技术	240	TFBGA, BGA48,6X8,30	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	3	128000		0 to 70 °C		GS71108AGU	e0	无		3A991.B.2.B		Tin/Lead (Sn/Pb)				8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1	0.75 mm	compliant		R-PBGA-B48	不合格	3.3 V	COMMERCIAL		1	ASYNCHRONOUS		0.065 mA					128KX8	3-STATE	1.2 mm	8		17 Bit	SRAM	1 Mbit	0.002 A	1048576 bit	Commercial	PARALLEL	COMMON	标准SRAM	3 V	3.6 V	3 V		SRAM		8 mm	6 mm
GS8662Q36BGD-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-165	YES	165	165	表面贴装	250 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	1.7 V		SMD/SMT	Parallel	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	3	2000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	未说明	0.45 ns	70 °C	有	GS8662Q36BGD-250	250 MHz	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.28	BGA	Commercial grade			250 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	2 MWords	36 Bit	1.9 V	0 to 85 °C		GS8662Q36BGD	e1	有		3A991.B.2.B		Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)			流水线结构	8542.32.00.41	SRAMs	CMOS		BOTTOM	BALL	260	1	1 mm	compliant		R-PBGA-B165	不合格	1.5/1.8,1.8 V	COMMERCIAL	72 Mbit	2	SYNCHRONOUS		895 mA				Pipelined	2 M x 36	3-STATE	1.4 mm	36		20 Bit		72 Mbit		75497472 bit	Commercial	PARALLEL	SEPARATE	QDR SRAM	1.7 V	1.9 V	1.7 V				15 mm	13 mm
GS8342D18BGD-333I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-165	YES	165	165	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	2 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	333 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C		15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	Details	DDR	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	2000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	-40 °C	未说明	0.45 ns	85 °C	有	GS8342D18BGD-333I	333 MHz	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.17	BGA	Industrial grade			333 MHz	FBGA	QDR	-40 to 100 °C	Tray	GS8342D18BGD				3A991.B.2.B	SigmaQuad-II		100 °C	-40 °C	流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	1.8 V	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant		R-PBGA-B165	不合格	1.5/1.8,1.8 V	INDUSTRIAL	36 Mbit	2	SYNCHRONOUS		615 mA				Pipelined	2 M x 18	3-STATE	1.4 mm	18		19 Bit	SRAM	36 Mbit	0.215 A	37748736 bit	Industrial	PARALLEL	SEPARATE	QDR SRAM	1.7 V	1.9 V	1.7 V		SRAM		15 mm	13 mm	无
GS8342Q36BGD-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	Details	DDR	Commercial grade						250 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	1 MWords	36 Bit	1.9 V	表面贴装	有	250 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C		15	1.7 V	SMD/SMT	0 to 85 °C	Tray	GS8342Q36BGD					SigmaQuad-II						Memory & Data Storage														36 Mbit	2			825 mA	450 ps			Pipelined	1 M x 36					19 Bit	SRAM	36 Mbit			Commercial								SRAM
GS8160Z18DGT-200	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	TQFP-100	YES	100	100	Synchronous	1 MWords	18 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	Compliant	有	200 MHz	+ 85 C	3.6 V		0.344551 oz	0 C	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	SDR	LQFP,	FLATPACK, LOW PROFILE	1000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	6.5 ns	70 °C	有	GS8160Z18DGT-200	2.5 V	LQFP	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	1.7	QFP	Commercial grade			153.8@Flow-Through/200@Pipelined MHz	TQFP	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	0 to 85 °C	Bulk	GS8160Z18DGT				3A991.B.2.B	NBT Pipeline/Flow Through		85 °C	0 °C	PIPELINE ARCHITECTURE, FLOW-THROUGH, ALSO OPERATES AT 3.3V	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		QUAD	鸥翼	未说明	1	0.65 mm	compliant		R-PQFP-G100	不合格		COMMERCIAL	18 Mbit	2	SYNCHRONOUS		195 mA	6.5 ns			Flow-Through/Pipelined	1 M x 18		1.6 mm	18		20 Bit	SRAM	18 Mbit		18874368 bit	Commercial	PARALLEL		ZBT SRAM		2.7 V	2.3 V		SRAM		20 mm	14 mm	无
GS8180QV18BD-167	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-165	YES	165	165	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.36	BGA			167 MHz	+ 70 C	2.6 V	0 C	2.4 V	SMD/SMT	Parallel	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	1000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	2.5 ns	70 °C	无		GS8180QV18BD-167	1048576 words	2.5 V	LBGA	RECTANGULAR	GSI技术				e0	无		3A991.B.2.B		Tin/Lead (Sn/Pb)			流水线结构	8542.32.00.41		CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	not_compliant		R-PBGA-B165	不合格		COMMERCIAL	18 Mbit		SYNCHRONOUS							1 M x 18		1.4 mm	18						18874368 bit		PARALLEL		标准SRAM		2.6 V	2.4 V				15 mm	13 mm
GS81302DT20GE-500I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	表面贴装	BGA-165	YES	165	165-FPBGA (15x17)	165	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	8 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	500 MHz	+ 85 C	1.9 V	1.784333 oz	GSI Technology Inc.	- 40 C	10	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	QDR-II	Tray	GS81302DT20	活跃	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	3	8000000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	0.45 ns	85 °C	有	GS81302DT20GE-500I	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	不推荐	GSI TECHNOLOGY	7.62	BGA	Industrial grade	500 MHz	FBGA	-40 to 100 °C	Tray	GS81302DT20GE	e1	有		3A991.B.2.B	SigmaQuad-II+	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)			流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	SRAM - Quad Port, Synchronous	1.7V ~ 1.9V	BOTTOM	BALL	260	1	1 mm	compliant		R-PBGA-B165	不合格		INDUSTRIAL	144 Mbit	2	SYNCHRONOUS	500 MHz	1.37 A	450 ps	SRAM	Parallel	Pipelined	8 M x 18		1.5 mm	18	-	21 Bit	SRAM	144 Mbit		150994944 bit	Industrial	PARALLEL		QDR SRAM		1.9 V	1.7 V		SRAM	8M x 18	17 mm	15 mm
GS74116AX-12I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-48	48			FBGA	3.3000 V	3 V	Asynchronous	256 kWords	16 Bit	3.6 V	表面贴装	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	135	3 V	SMD/SMT	Parallel		GSI技术	GSI技术	N	SDR	Industrial grade				-40 to 85 °C		GS74116AX					Asynchronous						Memory & Data Storage														4 Mbit	1			100 mA	12 ns				256 k x 16					18 Bit	SRAM	4 Mbit			Industrial								SRAM
GS74116AX-8I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	6 Weeks	BGA-48	YES	48	48	PLASTIC/EPOXY	BGA48,6X8,30	-40 °C	未说明	8 ns	85 °C	无	GS74116AX-8I	262144 words	3.3 V	TFBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.2	BGA			+ 85 C	3.6 V	- 40 C	135	3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	N	SDR	TFBGA, BGA48,6X8,30	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	3	256000				GS74116AX		无		3A991.B.2.B	Asynchronous					8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1	0.75 mm	compliant		R-PBGA-B48	不合格	3.3 V	INDUSTRIAL	4 Mbit		ASYNCHRONOUS		140 mA	8 ns				256 k x 16	3-STATE	1.2 mm	16			SRAM		0.02 A	4194304 bit		PARALLEL	COMMON	标准SRAM	3 V	3.6 V	3 V		SRAM		10 mm	6 mm