GSI Technology GS74117AX-12I

工厂交货时间

6 Weeks

包装/外壳

BGA-119

表面安装

YES

引脚数

48

终端数量

48

Supplier Package

FBGA

Typical Operating Supply Voltage

3.3000 V

Minimum Operating Supply Voltage

3 V

Timing Type

Asynchronous

Number of Words

256 kWords

Number of I/O Lines

16 Bit

Maximum Operating Supply Voltage

3.6 V

Mounting

表面贴装

Maximum Operating Temperature

+ 85 C

Supply Voltage-Max

3.6 V

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

135

Supply Voltage-Min

3 V

Mounting Styles

SMD/SMT

Interface Type

Parallel

Manufacturer

GSI技术

Brand

GSI技术

RoHS

N

Memory Types

SDR

Package Description

TFBGA, BGA48,6X8,30

Package Style

GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH

Part Package Code

BGA

Risk Rank

5.23

Ihs Manufacturer

GSI TECHNOLOGY

Part Life Cycle Code

活跃

Package Shape

RECTANGULAR

Package Code

TFBGA

Supply Voltage-Nom (Vsup)

3.3 V

Manufacturer Part Number

GS74117AX-12I

Rohs Code

无

Operating Temperature-Max

85 °C

Access Time-Max

12 ns

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Min

-40 °C

Package Equivalence Code

BGA48,6X8,30

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Number of Words Code

256000

Moisture Sensitivity Levels

3

Usage Level

Industrial grade

操作温度

-40 to 85 °C

系列

GS74117AX

无铅代码

无

ECCN 代码

3A991.B.2.B

类型

Asynchronous

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

Memory & Data Storage

技术

CMOS

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

0.75 mm

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PBGA-B48

资历状况

不合格

电源

3.3 V

温度等级

INDUSTRIAL

内存大小

4 Mbit

端口的数量

1

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

100 mA

访问时间

12 ns

组织结构

256 k x 16

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

1.2 mm

内存宽度

16

地址总线宽度

18 Bit

产品类别

SRAM

密度

4 Mbit

待机电流-最大值

0.02 A

记忆密度

4194304 bit

筛选水平

Industrial

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

标准SRAM

待机电压-最小值

3 V

电压 - 供电 （最大值）

3.6 V

电压 - 供电 （最小值）

3 V

产品类别

SRAM

宽度

6 mm

长度

10 mm