GSI的存储器_正品采购_价格信息

品牌是'GSI' (10000)

产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	安装类型	包装/外壳	表面安装	引脚数	供应商器件包装	终端数量																厂商																																		操作温度	包装	系列	JESD-609代码	无铅代码	ECCN 代码	类型	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	HTS代码	子类别	技术	电压 - 供电	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	端子间距	Reach合规守则	JESD-30代码	资历状况	电源	温度等级	内存大小	端口的数量	操作模式	时钟频率	电源电流-最大值	访问时间	内存格式	内存接口	建筑学	组织结构	输出特性	座位高度-最大	内存宽度	写入周期时间 - 字符、页面	地址总线宽度	产品类别	密度	待机电流-最大值	记忆密度	筛选水平	并行/串行	I/O类型	内存IC类型	待机电压-最小值	电压 - 供电（最大值）	电压 - 供电（最小值）	产品类别	组织的记忆	长度
GS88132CGT-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	100	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	Industrial grade						153.8@Flow-Through/200@Pipelined MHz	TQFP	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	256 kWords	32 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	200 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C		72	2.3 V	-40 to 85 °C	Tray	GS88132CGT				Pipeline/Flow Through						Memory & Data Storage													9 Mbit	1			160 mA, 190 mA	6.5 ns			Flow-Through/Pipelined	256 k x 36					17 Bit	SRAM	9 Mbit			Industrial							SRAM
GS8162Z36DGB-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-119	YES	119	119		网格排列	512000	PLASTIC/EPOXY	未说明	5.5 ns	70 °C	有	GS8162Z36DGB-250	524288 words	2.5 V	BGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.25	BGA			有	250 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	21	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR	BGA,		Tray	GS8162Z36DGB			3A991.B.2.B	NBT Pipeline/Flow Through				FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1	1.27 mm	compliant	R-PBGA-B119	不合格		COMMERCIAL	18 Mbit		SYNCHRONOUS		230 mA, 250 mA	5.5 ns				512 k x 36		1.99 mm	36			SRAM			18874368 bit		PARALLEL		ZBT SRAM		2.7 V	2.3 V	SRAM		22 mm	14 mm
GS842Z36CGB-166	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	BGA-119	YES	119	119	SDR	BGA, BGA119,7X17,50		网格排列	128000	PLASTIC/EPOXY	BGA119,7X17,50	未说明	7 ns	70 °C	有	GS842Z36CGB-166	166 MHz	131072 words	2.5 V	BGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.35	BGA			有	166 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	84	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details		Tray	GS842Z36CGB			3A991.B.2.B	NBT Pipeline/Flow Through				FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE, ALSO OPERATES AT 3.3V	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1	1.27 mm	compliant	R-PBGA-B119	不合格	2.5/3.3 V	COMMERCIAL	4 Mbit		SYNCHRONOUS		135 mA, 160 mA	7 ns				128 k x 36	3-STATE	1.99 mm	36			SRAM		0.025 A	4718592 bit		PARALLEL	COMMON	ZBT SRAM	2.3 V	2.7 V	2.3 V	SRAM		22 mm	14 mm
GS8182Q08BGD-133	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-165	YES	165	165	LBGA,		GRID ARRAY, LOW PROFILE	3	2000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	0.5 ns	70 °C	有	GS8182Q08BGD-133	2097152 words	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.2	BGA			有	133 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	Details	DDR		Tray	GS8182Q08BGD	e1	有	3A991.B.2.B	SigmaQuad-II	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)			流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	260	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格		COMMERCIAL	18 Mbit		SYNCHRONOUS		375 mA					2 M x 8		1.4 mm	8			SRAM			16777216 bit		PARALLEL		DDR SRAM		1.9 V	1.7 V	SRAM		15 mm	13 mm
GS882Z36CGB-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-119	YES	119	119	SDR	BGA,		网格排列	3	256000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	6.5 ns	85 °C	有	GS882Z36CGB-200I	262144 words	2.5 V	BGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.14	BGA			有	200 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	42	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details		Tray	GS882Z36CGB	e1	有	3A991.B.2.B	NBT Pipeline/Flow Through	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)			FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	260	1	1.27 mm	compliant	R-PBGA-B119	不合格		INDUSTRIAL	9 Mbit		SYNCHRONOUS		160 mA, 190 mA	6.5 ns				256 k x 36		1.77 mm	36			SRAM			9437184 bit		PARALLEL		ZBT SRAM		2.7 V	2.3 V	SRAM		22 mm	14 mm
GS8182Q09BD-167	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	N	DDR								有	167 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	18	1.7 V		Tray	GS8182Q09BD				SigmaQuad-II		70 °C	0 °C			Memory & Data Storage		1.8 V											18 Mbit	2			435 mA					2 M x 9					20 b	SRAM	18 Mb										SRAM				无
GS832136AGD-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	表面贴装	BGA-165	YES	165	165-FPBGA (15x13)	165	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	1 MWords	36 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	250 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	GSI Technology Inc.	18	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	Tray	GS832136	活跃	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	1000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	-40 °C	未说明	5.5 ns	85 °C	有	GS832136AGD-250I	250 MHz	2.5 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.16	BGA	Industrial grade	181.8@Flow-Through/250@Pipelined MHz	-40 to 100 °C	Tray	GS832136AGD			3A991.B.2.B	Pipeline/Flow Through				PIPELINE OR FLOW THROUGH ARCHITECTUREL; ALSO OPERATES AT 3.3 V SUPPLY	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	SRAM - Synchronous, Standard	2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格	2.5/3.3 V	INDUSTRIAL	36 Mbit	4	SYNCHRONOUS	250 MHz	250 mA, 305 mA	5.5 ns	SRAM	Parallel	Flow-Through/Pipelined	1 M x 36	3-STATE	1.4 mm	36	-	20 Bit	SRAM	36 Mbit	0.04 A	37748736 bit	Industrial	PARALLEL	COMMON	缓存SRAM	2.3 V	2.7 V	2.3 V	SRAM	1M x 36	15 mm	13 mm
GS88136CGT-150	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	TQFP-100	YES	100	100	256 kWords	36 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	150 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C		72	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	LQFP,	FLATPACK, LOW PROFILE	256000	UNSPECIFIED	未说明	70 °C	有	GS88136CGT-150	3.3 V	LQFP	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.26	QFP	Commercial grade			133.3@Flow-Through/150@Pipelined MHz	TQFP	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	0 to 70 °C	Tray	GS88136CGT			3A991.B.2.B	Pipeline/Flow Through				ALSO OPERATES WITH 2.3V TO 2.7V SUPPLY, FLOW THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		QUAD	鸥翼	未说明	1	0.65 mm	compliant	R-XQFP-G100	不合格		COMMERCIAL	9 Mbit	1	SYNCHRONOUS		130 mA, 140 mA	7.5 ns			Flow-Through/Pipelined	256 k x 36		1.6 mm	36		17 Bit	SRAM	9 Mbit		9437184 bit	Commercial	SERIAL		缓存SRAM		3.6 V	3 V	SRAM		20 mm	14 mm
GS8161Z36DGT-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	TQFP-100	YES	100	100	2.3, 3 V	Synchronous	512 kWords	36 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	250 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C		36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR	LQFP,	FLATPACK, LOW PROFILE	512000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	5.5 ns	85 °C	有	GS8161Z36DGT-250I	2.5 V	LQFP	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	1.64	QFP	Industrial grade			181.8@Flow-Through/250@Pipelined MHz	TQFP	SDR	2.5, 3.3 V	-40 to 85 °C	Tray	GS8161Z36DGT			3A991.B.2.B	NBT				ALSO OPERATES AT 3.3V	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		QUAD	鸥翼	未说明	1	0.65 mm	compliant	R-PQFP-G100			INDUSTRIAL	18 Mbit	4	SYNCHRONOUS		250 mA, 270 mA	5.5 ns			Flow-Through/Pipelined	512 k x 36		1.6 mm	36		19 Bit	SRAM	18 Mbit		18874368 bit	Industrial	PARALLEL		ZBT SRAM		2.7 V	2.3 V	SRAM		20 mm	14 mm
GS864218B-250M	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	YES	119	119	BGA119,7X17,50		-55 °C	未说明	6.5 ns	125 °C	无	GS864218B-250M	250 MHz	2.5 V	BGA	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.43	BGA	Military grade				153@Flow-Through/250@Pipelined MHz	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	4 MWords	18 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	BGA, BGA119,7X17,50	网格排列	4000000	PLASTIC/EPOXY	-55 to 125 °C			e0	无	3A991.B.2.B		Tin/Lead (Sn/Pb)			FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY	8542.32.00.41	SRAMs	CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1	1.27 mm	compliant	R-PBGA-B119	不合格	2.5/3.3 V	MILITARY		2	SYNCHRONOUS		0.355 mA				Flow-Through/Pipelined	4MX18	3-STATE	1.99 mm	18		22 Bit		72 Mbit	0.14 A	75497472 bit	Military	PARALLEL	COMMON	缓存SRAM	2.3 V	2.7 V	2.3 V			22 mm	14 mm
GS881E32CGT-150I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	TQFP-100	YES	100	100	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	256 kWords	32 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	150 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C		72	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	LQFP,	FLATPACK, LOW PROFILE	3	256000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	7.5 ns	85 °C	有	GS881E32CGT-150I	2.5 V	LQFP	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.3	QFP	Industrial grade			133.3@Flow-Through/150@Pipelined MHz	TQFP	SDR	-40 to 85 °C	Tray	GS881E32CGT	e3	有	3A991.B.2.B	DCD Pipeline/Flow Through	Matte Tin (Sn)			PIPELINED/FLOW-THROUGH ARCHITECTURE, IT ALSO OPERATES WITH 3 V TO 3.6 V SUPPLY	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		QUAD	鸥翼	260	1	0.65 mm	compliant	R-PQFP-G100	不合格		INDUSTRIAL	9 Mbit	4	SYNCHRONOUS		150 mA, 160 mA	7.5 ns			Flow-Through/Pipelined	256 k x 32		1.6 mm	32		18 Bit	SRAM	8 Mbit		8388608 bit	Industrial	PARALLEL		缓存SRAM		2.7 V	2.3 V	SRAM		20 mm	14 mm
GS880F32CGT-6.5	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	TQFP-100	YES	100	100	LQFP, QFP100,.63X.87	FLATPACK, LOW PROFILE		3	256000	PLASTIC/EPOXY	QFP100,.63X.87	未说明	6.5 ns	70 °C	有	GS880F32CGT-6.5	153 MHz	262144 words	2.5 V	LQFP	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.37	QFP			有	+ 70 C	3.6 V	0 C	72	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR		Tray	GS880F32CGT	e3	有	3A991.B.2.B	流过	纯哑光锡			FLOW-THROUGH ARCHITECTURE, IT ALSO OPERATES WITH 3 V TO 3.6 V SUPPLY	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		QUAD	鸥翼	260	1	0.65 mm	compliant	R-PQFP-G100	不合格	2.5/3.3 V	COMMERCIAL	9 Mbit		SYNCHRONOUS		140 mA	6.5 ns				256 k x 32	3-STATE	1.6 mm	32			SRAM		0.025 A	8388608 bit		PARALLEL	COMMON	缓存SRAM	2.3 V	2.7 V	2.3 V	SRAM		20 mm	14 mm
GS88237CB-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-119	YES	119	119		网格排列	256000	PLASTIC/EPOXY	未说明	2.3 ns	70 °C	无	GS88237CB-250	262144 words	2.5 V	BGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.19	BGA			有	250 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	42	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	N	SDR	BGA,		Tray	GS88237CB	e0	无	3A991.B.2.B	SCD/DCD Pipeline	Tin/Lead (Sn/Pb)			PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1	1.27 mm	compliant	R-PBGA-B119	不合格		COMMERCIAL	9 Mbit		SYNCHRONOUS		195 mA					256 k x 36		1.77 mm	36			SRAM			9437184 bit		PARALLEL		缓存SRAM		2.7 V	2.3 V	SRAM		22 mm	14 mm
GS8182Q08BGD-200	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	Details	DDR								有	200 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	18	1.7 V		Tray	GS8182Q08BGD				SigmaQuad-II						Memory & Data Storage													18 Mbit				500 mA					2 M x 8						SRAM											SRAM
GS842Z36CB-100I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-119	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	SDR								有	100 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	84	2.3 V	SMD/SMT	Parallel		Tray	GS842Z36CB				NBT Pipeline/Flow Through						Memory & Data Storage													4 Mbit				130 mA, 140 mA	12 ns				128 k x 36						SRAM											SRAM
GS880E32CGT-150	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR								有	150 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	72	2.3 V		Tray	GS880E32CGT				DCD						Memory & Data Storage													9 Mbit				130 mA, 140 mA	7.5 ns				256 k x 32						SRAM											SRAM
GS816236DGD-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	BGA-165	165-FPBGA (15x13)	GSI Technology Inc.	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	Tray	GS816236	活跃					有	250 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	36	-40°C ~ 100°C (TJ)	Tray	GS816236DGD				Pipeline/Flow Through						Memory & Data Storage	SRAM - Synchronous, Standard	2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V											18 Mbit			250 MHz	250 mA, 270 mA	5.5 ns	SRAM	Parallel		512 k x 36				-		SRAM											SRAM	512K x 36
GS842Z18CGB-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	BGA-119	YES	119	119	SDR	BGA, BGA119,7X17,50		网格排列	256000	PLASTIC/EPOXY	BGA119,7X17,50	未说明	5.5 ns	70 °C	有	GS842Z18CGB-250	250 MHz	262144 words	2.5 V	BGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.36	BGA			Compliant	有	250 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	84	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM		Bulk	GS842Z18CGB			3A991.B.2.B	NBT Pipeline/Flow Through		85 °C	0 °C	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE, ALSO OPERATES AT 3.3V	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1	1.27 mm	compliant	R-PBGA-B119	不合格	2.5/3.3 V	COMMERCIAL	4 Mbit	2	SYNCHRONOUS		145 mA, 180 mA	5.5 ns				256 k x 18	3-STATE	1.99 mm	18		18 b	SRAM	4 Mb	0.025 A	4718592 bit		PARALLEL	COMMON	ZBT SRAM	2.3 V	2.7 V	2.3 V	SRAM		22 mm	14 mm	无
GS8672T38BE-550	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II+	DDR-II								Compliant	有	550 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15		Bulk	GS8672T38BE				SigmaDDR-II+ B2		85 °C	0 °C			Memory & Data Storage		1.8 V											72 Mbit	1			1.85 A					2 M x 36					20 b	SRAM	72 Mb		72								SRAM				无
GS816118DGT-150	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	100	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	SDR	Commercial grade						133.3@Flow-Through/150@Pipelined MHz	TQFP	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	1 MWords	18 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	Compliant	有	150 MHz	+ 70 C	3.6 V		0 C	36	0 to 70 °C	Bulk	GS816118DGT				Pipeline/Flow Through		70 °C	0 °C			Memory & Data Storage													18 Mbit	2			170 mA, 180 mA	7.5 ns			Flow-Through/Pipelined	1 M x 18					20 Bit	SRAM	18 Mbit			Commercial							SRAM				无
GS8161Z32DD-200	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-165	YES	165	165	LBGA	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.3	BGA			Compliant	200 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	512000	PLASTIC/EPOXY	未说明	6.5 ns	70 °C		无	GS8161Z32DD-200	524288 words	2.5 V		Bulk	GS8161Z32DD			3A991.B.2.B			70 °C	0 °C	FLOW THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE, ALSO OPERATES AT 3.3V	8542.32.00.41		CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165			COMMERCIAL	18 Mbit	4	SYNCHRONOUS		210 mA	6.5 ns				512 k x 32		1.4 mm	32		19 b		18 Mb		16777216 bit		PARALLEL		ZBT SRAM		2.7 V	2.3 V			15 mm	13 mm	无
GS841Z36CGT-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100							250 MHz	+ 85 C		3.6 V	- 40 C	2.3 V	SMD/SMT	Parallel																										4 Mbit				175 mA, 215 mA	5.5 ns				128 k x 36
GS881E32CGT-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	SDR								Compliant	有	200 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	72		Tray	GS881E32CGT				DCD Pipeline/Flow Through		85 °C	-40 °C			Memory & Data Storage													9 Mbit	4			160 mA, 190 mA	6.5 ns				256 k x 32					18 b	SRAM	8 Mb										SRAM				无
GS8161Z18DGT-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR								有	250 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	36	2.3 V		Tray	GS8161Z18DGT				NBT						Memory & Data Storage													18 Mbit				210 mA, 230 mA	5.5 ns				1 M x 18						SRAM											SRAM
GS841Z36CGT-150	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	SDR								Compliant	有	150 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	72		Bulk	GS841Z36CGT				NBT Pipeline/Flow Through		85 °C	0 °C			Memory & Data Storage													4 Mbit	4			130 mA, 140 mA	7.5 ns				128 k x 36					17 b	SRAM	4 Mb										SRAM				无