GSI Technology GS864218B-250M

工厂交货时间

10 Weeks

表面安装

YES

引脚数

119

终端数量

119

Maximum Clock Rate

153@Flow-Through/250@Pipelined MHz

Supplier Package

FBGA

Data Rate Architecture

SDR

Typical Operating Supply Voltage

2.5, 3.3 V

Minimum Operating Supply Voltage

2.3, 3 V

Timing Type

Synchronous

Number of Words

4 MWords

Number of I/O Lines

18 Bit

Maximum Operating Supply Voltage

2.7, 3.6 V

Mounting

表面贴装

Package Description

BGA, BGA119,7X17,50

Package Style

网格排列

Number of Words Code

4000000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

BGA119,7X17,50

Operating Temperature-Min

-55 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

6.5 ns

Operating Temperature-Max

125 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

GS864218B-250M

Clock Frequency-Max (fCLK)

250 MHz

Supply Voltage-Nom (Vsup)

2.5 V

Package Code

BGA

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

GSI技术

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

GSI TECHNOLOGY

Risk Rank

5.43

Part Package Code

BGA

Usage Level

Military grade

操作温度

-55 to 125 °C

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

3A991.B.2.B

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

SRAMs

技术

CMOS

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

1.27 mm

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PBGA-B119

资历状况

不合格

电源

2.5/3.3 V

温度等级

MILITARY

端口的数量

2

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.355 mA

建筑学

Flow-Through/Pipelined

组织结构

4MX18

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

1.99 mm

内存宽度

18

地址总线宽度

22 Bit

密度

72 Mbit

待机电流-最大值

0.14 A

记忆密度

75497472 bit

筛选水平

Military

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

缓存SRAM

待机电压-最小值

2.3 V

电压 - 供电 （最大值）

2.7 V

电压 - 供电 （最小值）

2.3 V

宽度

14 mm

长度

22 mm