GSI Technology GS842Z18CGB-250

工厂交货时间

7 Weeks

包装/外壳

BGA-119

表面安装

YES

引脚数

119

终端数量

119

RoHS

Compliant

Moisture Sensitive

有

Maximum Clock Frequency

250 MHz

Maximum Operating Temperature

+ 70 C

Supply Voltage-Max

3.6 V

Minimum Operating Temperature

0 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

84

Supply Voltage-Min

2.3 V

Mounting Styles

SMD/SMT

Interface Type

Parallel

Manufacturer

GSI技术

Brand

GSI技术

Tradename

NBT SRAM

Memory Types

SDR

Package Description

BGA, BGA119,7X17,50

Package Style

网格排列

Number of Words Code

256000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

BGA119,7X17,50

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

5.5 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

GS842Z18CGB-250

Clock Frequency-Max (fCLK)

250 MHz

Number of Words

262144 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

2.5 V

Package Code

BGA

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

GSI TECHNOLOGY

Risk Rank

5.36

Part Package Code

BGA

包装

Bulk

系列

GS842Z18CGB

ECCN 代码

3A991.B.2.B

类型

NBT Pipeline/Flow Through

最高工作温度

85 °C

最小工作温度

0 °C

附加功能

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE, ALSO OPERATES AT 3.3V

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

Memory & Data Storage

技术

CMOS

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

1.27 mm

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PBGA-B119

资历状况

不合格

电源

2.5/3.3 V

温度等级

COMMERCIAL

内存大小

4 Mbit

端口的数量

2

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

145 mA, 180 mA

访问时间

5.5 ns

组织结构

256 k x 18

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

1.99 mm

内存宽度

18

地址总线宽度

18 b

产品类别

SRAM

密度

4 Mb

待机电流-最大值

0.025 A

记忆密度

4718592 bit

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

ZBT SRAM

待机电压-最小值

2.3 V

电压 - 供电 （最大值）

2.7 V

电压 - 供电 （最小值）

2.3 V

产品类别

SRAM

宽度

14 mm

长度

22 mm

辐射硬化

无