IDT的存储器_正品采购_价格信息

品牌是'IDT' (6623)

产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	底架	安装类型	包装/外壳	表面安装	引脚数	供应商器件包装	终端数量									厂商																						操作温度	包装	系列	尺寸/尺寸	容差	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	终止次数	ECCN 代码	温度系数	电阻	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	组成	功率(瓦特)	附加功能	HTS代码	子类别	最大功率耗散	技术	电压 - 供电	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	端子间距	Reach合规守则	JESD-30代码	资历状况	失败率	电源	温度等级	内存大小	端口的数量	操作模式	时钟频率	电源电流-最大值	访问时间	内存格式	内存接口	组织结构	输出特性	座位高度-最大	内存宽度	写入周期时间 - 字符、页面	待机电流-最大值	记忆密度	并行/串行	I/O类型	内存IC类型	待机电压-最小值	电压 - 供电（最大值）	电压 - 供电（最小值）	输出启用
7203L50JG8	IDT	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	32		,	30	有	7203L50JG8	Integrated Device Technology Inc	活跃	INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC	5.28		QFJ										e3	有			EAR99			Matte Tin (Sn)						8542.32.00.71							260			compliant		不合格
7142SA25JI8	IDT	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	表面贴装	52-LCC (J-Lead)	8	52-PLCC (19.13x19.13)	Volatile				无	-40°C ~ 85°C (TA)	Tape & Reel (TR)	--					Obsolete						85 °C	-40 °C						714 mW	SRAM - Dual Port, Asynchronous	4.5 V ~ 5.5 V									Compliant				16Kb (2K x 8)					25ns	SRAM	Parallel					25ns							5.5 V	1 V						无铅
71256SA15Y8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	28	28	5.28		SOJ	71256SA15Y8	无	70 °C	15 ns	30	SOJ28,.34	PLASTIC/EPOXY	32000	小概要	0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28					32768 words	5 V	SOJ	RECTANGULAR	Integrated Device Technology Inc	Obsolete						e0	无			EAR99			锡铅						8542.32.00.41	SRAMs		CMOS		DUAL	J BEND	225	1	1.27 mm	not_compliant	R-PDSO-J28	不合格	INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC		5 V	COMMERCIAL			ASYNCHRONOUS		0.15 mA			32KX8	3-STATE	3.556 mm	8		0.015 A	262144 bit	PARALLEL	COMMON	标准SRAM	4.5 V	5.5 V	4.5 V					17.9324 mm	7.5184 mm
7006S55PFG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	64	64	30	55 ns		70 °C	有	7006S55PFG	16384 words	5 V	QFP	SQUARE	Integrated Device Technology Inc	活跃	INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC	5.04	QFP					QFP, QFP64,.6SQ,32	FLATPACK	3	16000	PLASTIC/EPOXY						e3	有			EAR99			Matte Tin (Sn) - annealed						8542.32.00.41	SRAMs		CMOS		QUAD	鸥翼	260	1	0.8 mm	compliant	S-PQFP-G64	不合格	QFP64,.6SQ,32		5 V	COMMERCIAL		2	ASYNCHRONOUS		0.25 mA			16KX8	3-STATE	1.6 mm	8		0.015 A	131072 bit	PARALLEL	COMMON	DUAL-PORT SRAM	4.5 V	5.5 V	4.5 V					14 mm	14 mm
IDT71V35761S200PFG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	100	100	70 °C		有	IDT71V35761S200PFG	131072 words	3.3 V	LQFP	RECTANGULAR	Integrated Device Technology Inc	活跃	INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC	5.51	QFP					LQFP,	FLATPACK, LOW PROFILE	3	128000	PLASTIC/EPOXY	30						e3	有			3A991.B.2.A			哑光锡					流水线结构	8542.32.00.41			CMOS		QUAD	鸥翼	260	1	0.65 mm	compliant	R-PQFP-G100	不合格	3.1 ns			COMMERCIAL			SYNCHRONOUS					128KX36		1.6 mm	36			4718592 bit	PARALLEL		缓存SRAM		3.465 V	3.135 V					20 mm	14 mm
709359L7PFI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	100	100	8000	PLASTIC/EPOXY	QFP100,.63SQ,20	PN100	-40 °C		20	18 ns	85 °C	无	709359L7PFI	8192 words	5 V	LFQFP	SQUARE	Integrated Device Technology Inc	Obsolete	INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC	5.91	TQFP	集成设备技术					TQFP-100	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH						e0	无			EAR99			Tin/Lead (Sn85Pb15)					FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE	8542.32.00.41	SRAMs		CMOS		QUAD	鸥翼	240	1	0.5 mm	not_compliant	S-PQFP-G100	不合格	3		5 V	INDUSTRIAL		2	SYNCHRONOUS	0.44 mA				8KX18	3-STATE	1.6 mm	18		0.003 A	147456 bit	PARALLEL	COMMON	DUAL-PORT SRAM	4.5 V	5.5 V	4.5 V					14 mm	14 mm
IDT71V256SA15PZGI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	28	28	TSSOP28,.53,22	-40 °C	30		15 ns	85 °C	有	IDT71V256SA15PZGI	32768 words	3.3 V	TSOP1	RECTANGULAR	Integrated Device Technology Inc	活跃	INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC	5.32	TSOP					TSOP1, TSSOP28,.53,22	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	3	32000						e3	有			EAR99			哑光锡						8542.32.00.41	SRAMs		CMOS		DUAL	鸥翼	260	1	0.55 mm	compliant	R-PDSO-G28	不合格	PLASTIC/EPOXY		3.3 V	INDUSTRIAL		1	ASYNCHRONOUS		0.085 mA			32KX8	3-STATE	1.2 mm	8		0.002 A	262144 bit	PARALLEL	COMMON	缓存SRAM	3 V	3.6 V	3 V	YES				11.8 mm	8 mm
IDT71V416S10BEG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	48	48	30	10 ns		70 °C	有	IDT71V416S10BEG	262144 words	3.3 V	BGA	SQUARE	Integrated Device Technology Inc	活跃	INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC	5.23	BGA					BGA, BGA48,6X8,30	网格排列	3	256000	PLASTIC/EPOXY						e1	有			3A991.B.2.A			Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)						8542.32.00.41	SRAMs		CMOS		BOTTOM	BALL	260	1	0.75 mm	compliant	S-PBGA-B48	不合格	BGA48,6X8,30		3.3 V	COMMERCIAL			ASYNCHRONOUS		0.2 mA			256KX16	3-STATE	1.2 mm	16		0.02 A	4194304 bit	PARALLEL	COMMON	标准SRAM	3 V	3.6 V	3 V					9 mm	9 mm
IDT70V3389S6BFG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	208	208	BGA208,17X17,32	30	6 ns		70 °C	有	IDT70V3389S6BFG	83 MHz	65536 words	3.3 V	LFBGA	SQUARE	Integrated Device Technology Inc	活跃	INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC	5.21	BGA					LFBGA, BGA208,17X17,32	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	3	64000						e1	有			3A991.B.2.A			Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)					PIPELINED OUTPUT MODE; SELF-TIMED WRITE CYCLE	8542.32.00.41	SRAMs		CMOS		BOTTOM	BALL	260	1	0.8 mm	compliant	S-CBGA-B208	不合格	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED		2.5/3.3,3.3 V	COMMERCIAL		2	SYNCHRONOUS		0.31 mA			64KX18	3-STATE	1.7 mm	18		0.015 A	1179648 bit	PARALLEL	COMMON	DUAL-PORT SRAM	3.15 V	3.45 V	3.15 V					15 mm	15 mm
IDT7025S55JI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	84	84	LDCC84,1.2SQ	-40 °C	20		55 ns	85 °C	无	IDT7025S55JI	8192 words	5 V	QCCJ	SQUARE	Integrated Device Technology Inc	Obsolete	INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC	5.07	LCC					PLASTIC, LCC-84	CHIP CARRIER	1	8000						e0	无			EAR99			Tin/Lead (Sn85Pb15)					备用电池	8542.32.00.41	SRAMs		CMOS		QUAD	J BEND	225	1	1.27 mm	not_compliant	S-PQCC-J84	不合格	PLASTIC/EPOXY		5 V	INDUSTRIAL		2	ASYNCHRONOUS		0.3 mA			8KX16	3-STATE	4.57 mm	16		0.03 A	131072 bit	PARALLEL	COMMON	DUAL-PORT SRAM	4.5 V	5.5 V	4.5 V					29.3116 mm	29.3116 mm
71V256SA10YG8	IDT	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Axial	YES	28	Axial	28	SOJ, SOJ28,.34	小概要	3	32000	PLASTIC/EPOXY	Vishay Dale	SOJ28,.34	PJG28	未说明	10 ns	70 °C	有	71V256SA10YG8	32768 words	3.3 V	SOJ	RECTANGULAR	Integrated Device Technology Inc	Obsolete	INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC	5.2	SOJ	集成设备技术			Bulk	RLR05	-65°C ~ 150°C		Military, MIL-PRF-39017/05, RLR05	0.066 Dia x 0.150 L (1.68mm x 3.81mm)	±2%	e3	有		2	3A991	±100ppm/°C	36 kOhms	Matte Tin (Sn) - annealed			Metal Film	0.125W, 1/8W		8542.32.00.41	SRAMs		CMOS		DUAL	J BEND	260	1	1.27 mm	unknown	R-PDSO-J28	不合格	活跃	M (1%)	3.3 V	COMMERCIAL		ASYNCHRONOUS		0.1 mA				32KX8	3-STATE	3.556 mm	8		0.002 A	262144 bit	PARALLEL	COMMON	缓存SRAM	3 V	3.6 V	3 V		Military, Moisture Resistant, Weldable		-	17.9324 mm	7.5184 mm
71V3577S80PF	IDT	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	100-LQFP	100-TQFP (14x14)	IDT, Integrated Device Technology Inc			Volatile	活跃	71V3577	Bulk		0°C ~ 70°C (TA)		-																			SRAM - Synchronous, SDR	3.135V ~ 3.465V													4.5Mbit					8 ns	SRAM	Parallel					-										128K x 36
71V3578S150PF	IDT	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	100-LQFP	100-TQFP (14x14)	IDT, Integrated Device Technology Inc			Bulk	71V3578	活跃	Volatile		0°C ~ 70°C (TA)		-																			SRAM - Synchronous, SDR	3.135V ~ 3.465V													4.5Mbit			150 MHz		3.8 ns	SRAM	Parallel					-										256K x 18
71V3559S85PF	IDT	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	100-LQFP	100-TQFP (14x14)	IDT, Integrated Device Technology Inc			Bulk	71V3559	活跃	Volatile		0°C ~ 70°C (TA)		-																			SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)	3.135V ~ 3.465V													4.5Mbit					8.5 ns	SRAM	Parallel					-										256K x 18
71V67803S166PF	IDT	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	100-LQFP	100-TQFP (14x14)	IDT, Integrated Device Technology Inc			Bulk	71V67803	活跃	Volatile		0°C ~ 70°C (TA)		-																			SRAM - Synchronous, SDR	3.135V ~ 3.465V													9Mbit			166 MHz		3.5 ns	SRAM	Parallel					-										512K x 18
71V3559S75PF	IDT	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	100-LQFP	100-TQFP (14x14)	IDT, Integrated Device Technology Inc			Bulk	71V3559	活跃	Volatile		0°C ~ 70°C (TA)		-																			SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)	3.135V ~ 3.465V													4.5Mbit					7.5 ns	SRAM	Parallel					-										256K x 18
71016S12Y	IDT	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	44-BSOJ (0.400, 10.16mm Width)	44-SOJ	IDT, Integrated Device Technology Inc			Bulk	71016S	活跃	Volatile		0°C ~ 70°C (TA)		-																			SRAM - Asynchronous	4.5V ~ 5.5V													1Mbit					12 ns	SRAM	Parallel					12ns										64K x 16
71V416L15Y	IDT	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	44-BSOJ (0.400, 10.16mm Width)	44-SOJ	IDT, Integrated Device Technology Inc			Bulk	71V416L	活跃	Volatile		0°C ~ 70°C (TA)		-																			SRAM - Asynchronous	3V ~ 3.6V													4Mbit					15 ns	SRAM	Parallel					15ns										256K x 16
71016S15PH	IDT	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)	44-TSOP II	IDT, Integrated Device Technology Inc			Bulk	71016S	活跃	Volatile		0°C ~ 70°C (TA)		-																			SRAM - Asynchronous	4.5V ~ 5.5V													1Mbit					15 ns	SRAM	Parallel					15ns										64K x 16
71V416S15Y	IDT	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	44-BSOJ (0.400, 10.16mm Width)	44-SOJ	IDT, Integrated Device Technology Inc			Bulk	71V416S	活跃	Volatile		0°C ~ 70°C (TA)		-																			SRAM - Asynchronous	3V ~ 3.6V													4Mbit					15 ns	SRAM	Parallel					15ns										256K x 16
71V424L15Y	IDT	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	36-BSOJ (0.400, 10.16mm Width)	36-SOJ	IDT, Integrated Device Technology Inc			Bulk	71V424	Obsolete	Volatile		0°C ~ 70°C (TA)		-																			SRAM - Asynchronous	3V ~ 3.6V													4Mbit					15 ns	SRAM	Parallel					15ns										512K x 8
71124S15Y	IDT	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	32-BSOJ (0.400, 10.16mm Width)	32-SOJ	IDT, Integrated Device Technology Inc			Bulk	71124S	活跃	Volatile		0°C ~ 70°C (TA)		-																			SRAM - Asynchronous	4.5V ~ 5.5V													1Mbit					15 ns	SRAM	Parallel					15ns										128K x 8
71V016SA15PH	IDT	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)	44-TSOP II	IDT, Integrated Device Technology Inc			Volatile	活跃	71V016	Bulk		0°C ~ 70°C (TA)		-																			SRAM - Asynchronous	3V ~ 3.6V													1Mbit					15 ns	SRAM	Parallel					15ns										64K x 16
71V016SA12Y	IDT	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	44-BSOJ (0.400, 10.16mm Width)	44-SOJ	IDT, Integrated Device Technology Inc			Bulk	71V016	活跃	Volatile		0°C ~ 70°C (TA)		-																			SRAM - Asynchronous	3V ~ 3.6V													1Mbit					12 ns	SRAM	Parallel					12ns										64K x 16
71V424L12PH	IDT	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)	44-TSOP II	IDT, Integrated Device Technology Inc			Bulk	71V424	Obsolete	Volatile		0°C ~ 70°C (TA)		-																			SRAM - Asynchronous	3V ~ 3.6V													4Mbit					12 ns	SRAM	Parallel					12ns										512K x 8