ABB Semiconductors 5SNS0200V120100
- 收藏
- 对比
5SNS0200V120100
2436-5SNS0200V120100
晶体管 - IGBT - 单个
--
大陆
立即发货

Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 1200V V(BR)CES
1最小包装量--
5SNS0200V120100详情
ABB Semiconductors 5SNS0200V120100重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
22
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ABB LTD
Package Description
FLANGE MOUNT, R-XUFM-X22
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
UNSPECIFIED
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
ECCN 代码
EAR99
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-XUFM-X22
资历状况
不合格
最大耗散功率(Abs)
625 W
集电极电流-最大值(IC)
200 A
集电极-发射器电压-最大值
1200 V
栅极-发射极电压-最大值
20 V
VCEsat-最大值
2.3 V
5SNS0200V120100拓展信息
Dynex Semiconductor
ABB Semiconductors
Dynex Semiconductor
Dynex Semiconductor
Dynex Semiconductor
Dynex Semiconductor







哦! 它是空的。