Dynex Semiconductor DIM1200DDM17-E000
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DIM1200DDM17-E000
2436-DIM1200DDM17-E000
晶体管 - IGBT - 单个
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC, D, 10 PIN
1最小包装量--
DIM1200DDM17-E000详情
Dynex Semiconductor DIM1200DDM17-E000重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
NO
终端数量
10
晶体管元件材料
SILICON
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
接触制造商
Ihs Manufacturer
DYNEX SEMICONDUCTOR LTD
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PUFM-X10
Number of Elements
2
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
Turn-off Time-Nom (toff)
1600 ns
Turn-on Time-Nom (ton)
1150 ns
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
附加功能
LOW CONDUCTION LOSS, HIGH RELIABILITY
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
10
JESD-30代码
R-PUFM-X10
资历状况
不合格
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极电流-最大值(IC)
1200 A
集电极-发射器电压-最大值
1700 V
DIM1200DDM17-E000拓展信息
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