Dynex Semiconductor DIM50CHS12-E000
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DIM50CHS12-E000
2436-DIM50CHS12-E000
晶体管 - IGBT - 单个
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, C, 7 PIN
1最小包装量--
DIM50CHS12-E000详情
Dynex Semiconductor DIM50CHS12-E000重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
7
晶体管元件材料
SILICON
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
接触制造商
Ihs Manufacturer
DYNEX SEMICONDUCTOR LTD
Package Description
FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
Number of Elements
2
Package Body Material
UNSPECIFIED
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
Turn-off Time-Nom (toff)
850 ns
Turn-on Time-Nom (ton)
300 ns
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
附加功能
低导通损耗
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
7
JESD-30代码
R-XUFM-X7
资历状况
不合格
配置
SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极电流-最大值(IC)
50 A
集电极-发射器电压-最大值
1200 V
DIM50CHS12-E000拓展信息
Dynex Semiconductor
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ABB Semiconductors
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