Advanced AGR09085EF

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

10

Manufacturer

Advanced Semiconductor, Inc.

Brand

Advanced Semiconductor, Inc.

RoHS

Details

Drain Current-Max (ID)

8.5 A

Risk Rank

5.25

Ihs Manufacturer

BROADCOM LTD

Part Life Cycle Code

活跃

Number of Elements

1

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer Part Number

AGR09085EF

Operating Temperature-Max

150 °C

Reflow Temperature-Max (s)

30

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Description

FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2

包装

Tray

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

附加功能

HIGH RELIABILITY

子类别

MOSFETs

技术

Si

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

225

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-CDFM-F2

资历状况

不合格

配置

SINGLE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

SOURCE

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

射频MOSFET晶体管

最大漏极电流 (Abs) (ID)

8.5 A

DS 击穿电压-最小值

65 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最高频段

超高频段

产品类别

射频MOSFET晶体管