Advanced BLV31

包装/外壳

SOT-122A

表面安装

NO

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Emitter- Base Voltage VEBO

4 V

Pd - Power Dissipation

7 W

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

15

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Mounting Styles

通孔

Manufacturer

Advanced Semiconductor, Inc.

Brand

Advanced Semiconductor, Inc.

Maximum DC Collector Current

6 A

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

30 V

Risk Rank

4.22

Ihs Manufacturer

ASI SEMICONDUCTOR INC

Part Life Cycle Code

活跃

Package Shape

ROUND

Manufacturer Part Number

BLV31

Operating Temperature-Max

200 °C

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Package Style

POST/STUD MOUNT

Package Description

POST/STUD MOUNT, O-CRPM-F4

包装

Tray

ECCN 代码

EAR99

类型

射频双极功率

子类别

Transistors

技术

Si

端子位置

RADIAL

终端形式

FLAT

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

O-CRPM-F4

资历状况

不合格

工作频率

224 MHz

配置

Single

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

产品类别

射频双极晶体管

晶体管类型

双极电源

最大耗散功率(Abs)

48 W

集电极电流-最大值(IC)

3 A

最小直流增益（hFE）

15

连续集电极电流

3 A

集电极-发射器电压-最大值

30 V

最高频段

甚高频段

产品类别

射频双极晶体管