Advanced MRF5812LF

包装/外壳

SOIC-8

引脚数

7

RoHS

Compliant

Emitter- Base Voltage VEBO

2.5 V

Pd - Power Dissipation

1.25 W

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

50

Unit Weight

0.019048 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

SMD/SMT

Manufacturer

Advanced Semiconductor, Inc.

Brand

Advanced Semiconductor, Inc.

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

15 V

包装

Bulk

系列

MRF5812LF

终端

IDT

连接器类型

Connector, IDC

类型

射频双极小信号

性别

Male

子类别

Transistors

技术

Si

工作频率

1 GHz

导线/电缆种类

扁平挠性规

电缆长度

203 mm

产品类别

射频双极晶体管

晶体管类型

Bipolar

连续集电极电流

200 mA

产品类别

射频双极晶体管

辐射硬化

无