Advanced MRF313

包装/外壳

305A-01

Voltage, Rating

100 V

Emitter- Base Voltage VEBO

3 V

Pd - Power Dissipation

6.1 W

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

20

Unit Weight

0.572232 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Mounting Styles

SMD/SMT

Manufacturer

Advanced Semiconductor, Inc.

Brand

Advanced Semiconductor, Inc.

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

30 V

包装

Tray

容差

0.25 %

温度系数

50 ppm/°C

类型

射频双极小信号

电阻

205 kΩ

最高工作温度

155 °C

最小工作温度

-55 °C

组成

Thin Film

子类别

Transistors

额定功率

100 mW

技术

Si

工作频率

400 MHz

产品类别

射频双极晶体管

晶体管类型

Bipolar

连续集电极电流

150 mA

产品类别

射频双极晶体管

高度

650 µm