Advanced MRF5176

包装/外壳

Case244-04

表面安装

NO

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Emitter- Base Voltage VEBO

4 V

Pd - Power Dissipation

30 W

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

10

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Mounting Styles

通孔

Manufacturer

Advanced Semiconductor, Inc.

Brand

Advanced Semiconductor, Inc.

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

33 V

Package Description

POST/STUD MOUNT, O-CRPM-F4

Package Style

POST/STUD MOUNT

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Operating Temperature-Max

200 °C

Manufacturer Part Number

MRF5176

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ASI SEMICONDUCTOR INC

Risk Rank

5.13

包装

Tray

ECCN 代码

EAR99

类型

射频双极功率

子类别

Transistors

技术

Si

端子位置

RADIAL

终端形式

FLAT

JESD-30代码

O-CRPM-F4

资历状况

不合格

工作频率

400 MHz

配置

SINGLE

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

产品类别

射频双极晶体管

晶体管类型

双极电源

最大耗散功率(Abs)

30 W

集电极电流-最大值(IC)

2 A

最小直流增益（hFE）

10

连续集电极电流

2 A

集电极-发射器电压-最大值

33 V

最高频段

超高频段

集电极-基极电容-最大值

25 pF

产品类别

射频双极晶体管

达到SVHC

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