MRF5812GR1详情
Advanced MRF5812GR1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
Axial
供应商器件包装
Axial
Unit Weight
0.008891 oz
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1000
Manufacturer
Advanced Semiconductor, Inc.
Brand
Advanced Semiconductor, Inc.
RoHS
Details
操作温度
-55°C ~ 250°C
系列
Military, MIL-PRF-39007, RWR80S
包装
Bulk
尺寸/尺寸
0.094 Dia x 0.406 L (2.39mm x 10.31mm)
容差
±1%
零件状态
活跃
终止次数
2
温度系数
±20ppm/°C
电阻
681 Ohms
组成
Wirewound
功率(瓦特)
2W
子类别
Transistors
技术
Si
失败率
R (0.01%)
产品类别
射频双极晶体管
特征
Military, Moisture Resistant
产品类别
射频双极晶体管
座位高度(最大)
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MRF5812GR1拓展信息








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