Advanced Linear Devices Inc. ALD1110ESAL
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ALD1110ESAL
49-ALD1110ESAL
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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MOSFET Dual EPAD(R) Prog
1最小包装量--
ALD1110ESAL详情
Advanced Linear Devices Inc. ALD1110ESAL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
8 Weeks
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
安装类型
表面贴装
底架
表面贴装
引脚数
8
供应商器件包装
8-SOIC
已出版
2003
系列
EPAD®
包装
Tube
操作温度
0°C~70°C TJ
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
70°C
最小工作温度
0°C
最大功率耗散
600mW
功率耗散
600mW
功率 - 最大
600mW
场效应管类型
2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Rds On(Max)@Id,Vgs
500Ohm @ 5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.01V @ 1μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2.5pF @ 5V
漏源电压 (Vdss)
10V
连续放电电流(ID)
3mA
漏源击穿电压
10V
输入电容
2.5pF
场效应管特性
Standard
漏源电阻
500Ohm
最大rds
500 Ω
RoHS状态
ROHS3 Compliant
ALD1110ESAL拓展信息
Advanced Linear Devices Inc.
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