Advanced Linear Devices Inc. ALD114935SAL
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ALD114935SAL
49-ALD114935SAL
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
1最小包装量--
ALD114935SAL详情
Advanced Linear Devices Inc. ALD114935SAL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
8 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
供应商器件包装
8-SOIC
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
12mA 3mA
Turn Off Delay Time
10 ns
操作温度
0°C~70°C TJ
包装
Tube
系列
EPAD®
已出版
2005
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
70°C
最小工作温度
0°C
最大功率耗散
500mW
元素配置
Dual
功率耗散
500mW
功率 - 最大
500mW
场效应管类型
2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Rds On(Max)@Id,Vgs
540Ohm @ 0V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.45V @ 1μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2.5pF @ 5V
漏源电压 (Vdss)
10.6V
连续放电电流(ID)
3mA
栅极至源极电压(Vgs)
10.6V
漏源击穿电压
10V
输入电容
2.5pF
场效应管特性
耗尽模式
漏源电阻
540Ohm
最大rds
540 Ω
RoHS状态
ROHS3 Compliant
ALD114935SAL拓展信息
Advanced Linear Devices Inc.
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