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Advanced Power Technology APT20M25JNR

Name: APT20M25JNR
Brand: Advanced Power Technology
SKU: 42-APT20M25JNR
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

APT20M25JNR

品牌

Advanced Power Technology

utmel 编号

42-APT20M25JNR

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Description: Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 200V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ISOTOP-4

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APT20M25JNR Advanced Power Technology Description: Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 200V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ISOTOP-4

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APT20M25JNR详情

技术参数

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Advanced Power Technology APT20M25JNR重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

NO
终端数量

4
晶体管元件材料

SILICON
Part Life Cycle Code

Obsolete
Ihs Manufacturer

ADVANCED POWER TECHNOLOGY INC
Package Description

FLANGE MOUNT, R-PUFM-D4
Drain Current-Max (ID)

100 A
Number of Elements

1
Operating Temperature-Max

150 °C
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Package Shape

RECTANGULAR
Package Style

FLANGE MOUNT
Turn-off Time-Max (toff)

270 ns
Turn-on Time-Max (ton)

140 ns
ECCN 代码

EAR99
附加功能

雪崩额定
HTS代码

8541.29.00.95
端子位置

UPPER
终端形式

SOLDER LUG
Reach合规守则

unknown
JESD-30代码

R-PUFM-D4
资历状况

不合格
配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式

增强型MOSFET
箱体转运

ISOLATED
晶体管应用

SWITCHING
极性/通道类型

N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻

0.025 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)

400 A
DS 击穿电压-最小值

200 V
雪崩能量等级（Eas）

1300 mJ
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)

520 W
反馈上限-最大值 (Crss)

1080 pF
环境耗散-最大值

520 W

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技术文档: Advanced Power Technology APT20M25JNR.

数据表 :
APTTS03667-1.pdf

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