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Advanced Power Technology APT6030HJN

Name: APT6030HJN
Brand: Advanced Power Technology
SKU: 42-APT6030HJN
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

APT6030HJN

品牌

Advanced Power Technology

utmel 编号

42-APT6030HJN

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Description: Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 600V, 0.3ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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APT6030HJN Advanced Power Technology Description: Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 600V, 0.3ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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APT6030HJN详情

技术参数

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Advanced Power Technology APT6030HJN重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

NO
终端数量

5
晶体管元件材料

SILICON
Part Life Cycle Code

Obsolete
Ihs Manufacturer

ADVANCED POWER TECHNOLOGY INC
Package Description

FLANGE MOUNT, R-PUFM-X5
Drain Current-Max (ID)

23 A
Number of Elements

2
Operating Temperature-Max

150 °C
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Package Shape

RECTANGULAR
Package Style

FLANGE MOUNT
Turn-off Time-Max (toff)

230 ns
Turn-on Time-Max (ton)

110 ns
ECCN 代码

EAR99
HTS代码

8541.29.00.95
端子位置

UPPER
终端形式

UNSPECIFIED
Reach合规守则

unknown
JESD-30代码

R-PUFM-X5
资历状况

不合格
配置

SERIES, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式

增强型MOSFET
箱体转运

ISOLATED
晶体管应用

SWITCHING
极性/通道类型

N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻

0.3 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)

92 A
DS 击穿电压-最小值

600 V
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)

360 W
反馈上限-最大值 (Crss)

285 pF
环境耗散-最大值

360 W

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技术文档: Advanced Power Technology APT6030HJN.

数据表 :
APTTD003-61.pdf

APT6030HJN拓展信息

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