AMI Semiconductor FDBL0200N100
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FDBL0200N100
137-FDBL0200N100
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerSFN
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FDBL0200N100 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from AMI Semiconductor stock available at utmel
1最小包装量--
FDBL0200N100详情
AMI Semiconductor FDBL0200N100重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerSFN
供应商器件包装
8-HPSOF
Lead Free Status / RoHS Status
Lead free / RoHS Compliant
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
300A (Tc)
Other Names
FDBL0200N100-ND FDBL0200N100OSTR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
429W (Tc)
操作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
系列
-
包装
Tape & Reel (TR)
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
2 mOhm @ 80A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
9760pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
133nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
100V
Vgs(最大值)
±20V
场效应管特性
-
FDBL0200N100拓展信息
AMI Semiconductor
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