AMI Semiconductor NDT2955
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NDT2955
137-NDT2955
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-261-4, TO-261AA
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NDT2955 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from AMI Semiconductor stock available at utmel
1最小包装量--
NDT2955详情
AMI Semiconductor NDT2955重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
供应商器件包装
SOT-223-4
Lead Free Status / RoHS Status
Lead free / RoHS Compliant
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
2.5A (Ta)
Other Names
NDT2955CT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Power Dissipation (Max)
3W (Ta)
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
-
包装
Cut Tape (CT)
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
300 mOhm @ 2.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
601pF @ 30V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
15nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs(最大值)
±20V
场效应管特性
-
NDT2955拓展信息
AMI Semiconductor
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