FJY4012R
FJY4012R

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

AMI Semiconductor FJY4012R

  • 收藏
  • 对比

型号

FJY4012R

utmel 编号

137-FJY4012R

商品类别

晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

封装

SC-89, SOT-490

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

FJY4012R datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased product details from AMI Semiconductor stock available at utmel

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表
FJY4012R
FJY4012R AMI Semiconductor

请发送询价,我们将立即回复。

库存:

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

FJY4012R详情

AMI Semiconductor FJY4012R重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SC-89, SOT-490

  • 供应商器件包装

    SOT-523F

  • RoHS

    Non-Compliant

  • Lead Free Status / RoHS Status

    Lead free / RoHS Compliant

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    100mA

  • Other Names

    FJY4012RTR

  • 系列

    -

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 基本部件号

    FJY4012

  • 功率 - 最大

    200mW

  • 晶体管类型

    PNP - Pre-Biased

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    100 @ 1mA, 5V

  • 最大集极截止电流

    100nA (ICBO)

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    300mV @ 1mA, 10mA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    40V

  • 频率转换

    200MHz

  • 电阻基(R1)

    47 kOhms

0个相似型号

FJY4012R拓展信息

NSBC114TF3T5G
NSBC114TF3T5G

AMI Semiconductor

MMUN2130LT1G
MMUN2130LT1G

AMI Semiconductor

SMMUN2233LT1G
SMMUN2233LT1G

AMI Semiconductor

FJNS3210RTA
FJNS3210RTA

AMI Semiconductor

NSBC124EF3T5G
NSBC124EF3T5G

AMI Semiconductor

NSVDTA113EM3T5G
NSVDTA113EM3T5G

AMI Semiconductor

DTA144WET1G
DTA144WET1G

AMI Semiconductor

NSVMMUN2232LT1G
NSVMMUN2232LT1G

AMI Semiconductor

NSVDTA123JM3T5G
NSVDTA123JM3T5G

AMI Semiconductor

NSVDTC123JM3T5G
NSVDTC123JM3T5G

AMI Semiconductor

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z