MCH6331-TL-E
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AMI Semiconductor MCH6331-TL-E

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型号

MCH6331-TL-E

utmel 编号

137-MCH6331-TL-E

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

6-SMD, Flat Leads

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MCH6331-TL-E datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from AMI Semiconductor stock available at utmel

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MCH6331-TL-E
MCH6331-TL-E AMI Semiconductor

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MCH6331-TL-E详情

AMI Semiconductor MCH6331-TL-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 触点镀层

    Gold

  • 底架

    自由悬挂

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    6-SMD, Flat Leads

  • 供应商器件包装

    6-MCPH

  • 房屋材料

    Nylon

  • Voltage Rating (AC)

    600 V

  • RoHS

    Compliant

  • Shrouded

  • Lead Free Status / RoHS Status

    Lead free / RoHS Compliant

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    3.5A (Ta)

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    4V, 10V

  • Power Dissipation (Max)

    1.5W (Ta)

  • 包装

    Bulk

  • 操作温度

    150°C (TJ)

  • 系列

    -

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终端

    IDC

  • 连接器类型

    Connector, Receptacle, Socket

  • 定位的数量

    6

  • 颜色

    Orange

  • 行数

    1

  • 紧固类型

    Ramp

  • 螺距

    3.96 mm

  • 技术

    MOSFET (Metal Oxide)

  • 额定电流

    7 A

  • 接头数量

    6

  • 触点性别

    Female

  • 房屋颜色

    White

  • 弱电

    Compliant

  • 导线/电缆种类

    Discrete

  • 导线/电缆规格

    18 AWG

  • 场效应管类型

    P-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    98 mOhm @ 1.5A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    -

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    250pF @ 10V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    5nC @ 10V

  • 漏源电压 (Vdss)

    30V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 场效应管特性

    -

  • 辐射硬化

  • 可燃性等级

    UL94 V-2

  • 无铅

    不适用

0个相似型号

MCH6331-TL-E拓展信息

FDBL86363-F085
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NVMFS5C456NLT3G
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FQI34P10TU
FQI34P10TU

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FQI2N30TU
FQI2N30TU

AMI Semiconductor

NTMFS4C58NT1G
NTMFS4C58NT1G

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NTMFS4C13NT1G
NTMFS4C13NT1G

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FDP3652
FDP3652

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HUFA76413D3S
HUFA76413D3S

AMI Semiconductor

FQB2P25TM
FQB2P25TM

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2N7000
2N7000

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