AMI Semiconductor NTH027N65S3F-F155

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

供应商器件包装

TO-247-3

RoHS

Compliant

Lead Free Status / RoHS Status

Lead free / RoHS Compliant

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

75A (Tc)

Other Names

NTH027N65S3F-F155OS

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

595W (Tc)

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

FRFET®, SuperFET® II

湿度敏感性等级(MSL)

不适用

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

27.4 mOhm @ 35A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 7.5mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

7690pF @ 400V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

259nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

650V

Vgs（最大值）

±30V

场效应管特性

-