AMI Semiconductor NTMFS4827NET1G

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN, 5 Leads

供应商器件包装

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Lead Free Status / RoHS Status

Lead free / RoHS Compliant

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

8.8A (Ta), 58.5A (Tc)

Other Names

NTMFS4827NET1G-ND NTMFS4827NET1GOSTR

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 11.5V

Power Dissipation (Max)

870mW (Ta), 38.5W (Tc)

操作温度

-40°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

包装

Tape & Reel (TR)

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

6.95 mOhm @ 30A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1400pF @ 12V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

16nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

场效应管特性

-