AMI Semiconductor NTTFS5811NLTWG

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerWDFN

供应商器件包装

8-WDFN (3.3x3.3)

Voltage, Rating

100 V

Lead Free Status / RoHS Status

Lead free / RoHS Compliant

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

17A (Ta), 53A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Power Dissipation (Max)

2.7W (Ta), 33W (Tc)

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

容差

0.1 %

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

温度系数

50 ppm/°C

电阻

48.7 Ω

最高工作温度

155 °C

最小工作温度

-55 °C

组成

Thin Film

额定功率

100 mW

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

6.4 mOhm @ 20A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1570pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

31nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

40V

Vgs（最大值）

±20V

场效应管特性

-

高度

650 µm