Analog Devices DS1230AB-120IND
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DS1230AB-120IND
153-DS1230AB-120IND
存储器
28-DIP Module (0.600, 15.24mm)
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Nonvolatile SRAM (NVSRAM),256Kbit, 32K x 8bit, 120ns Read/Write, Parallel, 4.75V to 5.25V, EDIP-28
1最小包装量--
DS1230AB-120IND 详情
Analog Devices DS1230AB-120IND 重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
通孔
包装/外壳
28-DIP Module (0.600, 15.24mm)
供应商器件包装
28-EDIP
MSL
-
Package
Tube
Base Product Number
DS1230AB
厂商
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Product Status
Obsolete
Memory Types
Non-Volatile
Maximum Operating Temperature
+ 85 C
Supply Voltage-Max
5.25 V
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Supply Voltage-Min
4.75 V
Interface Type
Parallel
操作温度
-40°C ~ 85°C (TA)
系列
-
技术
NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
电压 - 供电
4.75V ~ 5.25V
内存大小
256Kbit
工作电源电流
85 mA
访问时间
120 ns
内存格式
NVSRAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
8 bit
组织结构
32 k x 8
写入周期时间 - 字符、页面
120ns
组织的记忆
32K x 8
DS1230AB-120IND 拓展信息
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