Analog Devices DS1230AB-200
- 收藏
- 对比
DS1230AB-200
153-DS1230AB-200
存储器
28-DIP Module (0.600, 15.24mm)
大陆
立即发货

NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 256Kb (32K x 8) Parallel 200 ns 28-EDIP
1最小包装量--
DS1230AB-200详情
Analog Devices DS1230AB-200重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
28-DIP Module (0.600, 15.24mm)
引脚数
28
供应商器件包装
28-EDIP
RoHS
Compliant
Memory Types
Non-Volatile, RAM, SRAM
Package
Tube
Base Product Number
DS1230AB
厂商
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Product Status
Obsolete
Maximum Operating Temperature
+ 70 C
Supply Voltage-Max
5.25 V
Minimum Operating Temperature
0 C
Supply Voltage-Min
4.75 V
Interface Type
Parallel
包装
Bulk
操作温度
0°C ~ 70°C (TA)
系列
-
最高工作温度
70 °C
最小工作温度
0 °C
技术
NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
电压 - 供电
4.75V ~ 5.25V
频率
200 GHz
工作电源电压
5 V
界面
Parallel
最大电源电压
5.25 V
最小电源电压
4.75 V
内存大小
32 kB
工作电源电流
85 mA
访问时间
200 ns
内存格式
NVSRAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
8 b
组织结构
32 k x 8
写入周期时间 - 字符、页面
200ns
密度
256 kb
组织的记忆
32K x 8
宽度
18.8 mm
高度
9.4 mm
长度
39.12 mm
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
无
无铅
含铅
DS1230AB-200拓展信息
Analog Devices
Analog Devices
Analog Devices
Analog Devices
Analog Devices
Analog Devices
Analog Devices
Analog Devices
Analog Devices
Analog Devices







哦! 它是空的。