Analog Devices DS1230W-100IND
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DS1230W-100IND
153-DS1230W-100IND
存储器
28-DIP Module (0.600, 15.24mm)
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IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
1最小包装量--
DS1230W-100IND详情
Analog Devices DS1230W-100IND重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
28-DIP Module (0.600, 15.24mm)
供应商器件包装
28-EDIP
Package
Tube
Base Product Number
DS1230W
厂商
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Product Status
Obsolete
Memory Types
Non-Volatile
操作温度
-40°C ~ 85°C (TA)
系列
-
技术
NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
电压 - 供电
3V ~ 3.6V
内存大小
256Kbit
访问时间
100 ns
内存格式
NVSRAM
内存接口
Parallel
写入周期时间 - 字符、页面
100ns
组织的记忆
32K x 8
DS1230W-100IND拓展信息
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