Analog Devices DS1230Y-100
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DS1230Y-100
153-DS1230Y-100
存储器
28-DIP Module (0.600, 15.24mm)
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IC Nvsram 256K Parallel 28EDIP / 256K Nonvolatile SRAM
1最小包装量--
DS1230Y-100详情
Analog Devices DS1230Y-100重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
触点镀层
Tin
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
28-DIP Module (0.600, 15.24mm)
引脚数
28
供应商器件包装
28-EDIP
终端数量
9
Package Shape
RECTANGULAR
Package Code
DIE
Number of Words
34359738368
Operating Temperature-Max
70
Operating Temperature-Min
0
Package Body Material
UNSPECIFIED
Number of Words Code
32G
Package Style
UNCASED CHIP
RoHS
Compliant
Memory Types
Non-Volatile, RAM, SRAM
MSL
-
Package
Tube
Base Product Number
DS1230Y
厂商
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Product Status
活跃
包装
Bulk
操作温度
0°C ~ 70°C (TA)
系列
-
最高工作温度
70 °C
最小工作温度
0 °C
技术
CMOS
电压 - 供电
4.5V ~ 5.5V
端子位置
UPPER
终端形式
无铅
功能数量
1
频率
100 GHz
JESD-30代码
R-XUUC-N9
工作电源电压
5 V
电源电压-最大值(Vsup)
3.6
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.7
界面
Parallel
最大电源电压
5.5 V
最小电源电压
4.5 V
内存大小
32 kB
工作电源电流
85 mA
负载电容
5 pF
操作模式
ASYNCHRONOUS
访问时间
100 ns
内存格式
NVSRAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
8 b
组织结构
32GX8
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
100ns
地址总线宽度
15 b
密度
256 kb
记忆密度
2.7487790694e+11
并行/串行
SERIAL
内存IC类型
闪存卡
编程电压
2.7
组织的记忆
32K x 8
宽度
18.8 mm
高度
9.4 mm
长度
39.12 mm
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
无
无铅
含铅
DS1230Y-100拓展信息
Analog Devices
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