注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥90.72582
10
¥85.590397
100
¥80.74566
500
¥76.175145
1000
¥71.86335
Analog Devices DS1230Y-120IND
- 收藏
- 对比
DS1230Y-120IND
153-DS1230Y-120IND
存储器
28-DIP Module (0.600, 15.24mm)
大陆
立即发货

Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 120ns, CMOS
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DS1230Y-120IND详情
Analog Devices DS1230Y-120IND重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
Production (Last Updated: 1 month ago)
安装类型
通孔
包装/外壳
28-DIP Module (0.600, 15.24mm)
引脚数
28
供应商器件包装
28-EDIP
Manufacturer
Miscellaneous
Package
Tube
Base Product Number
DS1230Y
厂商
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Product Status
活跃
Memory Types
Non-Volatile
Manufacturer Lifecycle Status
PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)
RoHS
Compliant
MSL
-
SVHC
1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (10-Jun-2022)
Maximum Operating Temperature
+ 85 C
Supply Voltage-Max
5.5 V
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Supply Voltage-Min
4.5 V
Interface Type
Parallel
包装
Bulk
操作温度
-40°C ~ 85°C (TA)
系列
-
最高工作温度
85 °C
最小工作温度
-40 °C
技术
NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
电压 - 供电
4.5V ~ 5.5V
频率
120 GHz
工作电源电压
5 V
界面
Parallel
最大电源电压
5.5 V
最小电源电压
4.5 V
内存大小
256Kbit
工作电源电流
85 mA
访问时间
120 ns
内存格式
NVSRAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
8 b
组织结构
32 k x 8
写入周期时间 - 字符、页面
120ns
密度
256 kb
组织的记忆
32K x 8
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
无
无铅
含铅
DS1230Y-120IND拓展信息
Analog Devices
Analog Devices
Analog Devices
Analog Devices
Analog Devices
Analog Devices
Analog Devices
Analog Devices
Analog Devices
Analog Devices






哦! 它是空的。