Analog Devices DS1230Y-200IND
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DS1230Y-200IND
153-DS1230Y-200IND
存储器
28-DIP Module (0.600, 15.24mm)
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NVRAM,SRAM, 256 Kbit, 32K x 8bit, 200 ns, EDIP
1最小包装量--
DS1230Y-200IND 详情
Analog Devices DS1230Y-200IND 重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
Production (Last Updated: 1 month ago)
安装类型
通孔
包装/外壳
28-DIP Module (0.600, 15.24mm)
引脚数
28
供应商器件包装
28-EDIP
MSL
MSL 1 - Unlimited
Memory Types
SRAM
Manufacturer Lifecycle Status
PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)
RoHS
Compliant
Package
Tube
Base Product Number
DS1230Y
厂商
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Product Status
Obsolete
Maximum Operating Temperature
+ 85 C
Supply Voltage-Max
5.5 V
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Supply Voltage-Min
4.5 V
Interface Type
Parallel
操作温度
-40°C ~ 85°C (TA)
系列
-
技术
NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
电压 - 供电
4.5V ~ 5.5V
内存大小
256Kbit
工作电源电流
85 mA
访问时间
200ns
内存格式
NVSRAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
8 bit
组织结构
32 k x 8
写入周期时间 - 字符、页面
200ns
组织的记忆
32K x 8
无铅
无铅
DS1230Y-200IND 拓展信息
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