Analog Devices DS1250W-100IND

生命周期状态

Production (Last Updated: 1 month ago)

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

32-DIP Module (0.600, 15.24mm)

引脚数

32

供应商器件包装

32-EDIP

RoHS

Compliant

Memory Types

Non-Volatile, RAM, SRAM

Manufacturer Lifecycle Status

PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)

Package

Tube

Base Product Number

DS1250W

厂商

Analog Devices Inc./Maxim Integrated

Product Status

Obsolete

Maximum Operating Temperature

+ 85 C

Supply Voltage-Max

3.6 V

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Supply Voltage-Min

3 V

Interface Type

Parallel

包装

Bulk

操作温度

-40°C ~ 85°C (TA)

系列

-

最高工作温度

85 °C

最小工作温度

-40 °C

技术

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

电压 - 供电

3V ~ 3.6V

频率

100 GHz

工作电源电压

3.3 V

界面

Parallel

最大电源电压

3.6 V

最小电源电压

3 V

内存大小

512 kB

工作电源电流

50 mA

访问时间

100 ns

内存格式

NVSRAM

内存接口

Parallel

数据总线宽度

8 b

组织结构

512 k x 8

写入周期时间 - 字符、页面

100ns

密度

4 Mb

组织的记忆

512K x 8

辐射硬化

无

无铅

含铅