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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥889.731713
10
¥839.369542
100
¥791.858058
500
¥747.035901
1000
¥704.750848
Analog Devices DS1265AB-100
- 收藏
- 对比
DS1265AB-100
153-DS1265AB-100
存储器
Radial
大陆
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EDIP-36 Pre-ordered Chips ROHS
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DS1265AB-100 详情
Analog Devices DS1265AB-100 重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
Production (Last Updated: 1 month ago)
安装类型
通孔
包装/外壳
Radial
引脚数
36
供应商器件包装
36-EDIP
介电材料
Polyester, Metallized
Lead Free Status / RoHS Status
--
Voltage Rating DC
400V
Voltage Rating AC
200V
Manufacturer Lifecycle Status
PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)
RoHS
Compliant
Memory Types
Non-Volatile, RAM, SRAM
Package
Tube
Base Product Number
DS1265AB
厂商
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Product Status
Obsolete
Maximum Operating Temperature
+ 70 C
Supply Voltage-Max
5.25 V
Minimum Operating Temperature
0 C
Supply Voltage-Min
4.75 V
Interface Type
Parallel
操作温度
-55°C ~ 105°C
系列
MKT1817
包装
Tape & Box (TB)
尺寸/尺寸
0.283 L x 0.138 W (7.20mm x 3.50mm)
容差
±10%
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
--
终端
PC引脚
最高工作温度
70 °C
最小工作温度
0 °C
应用
通用型
电容量
10000pF
技术
NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
电压 - 供电
4.75V ~ 5.25V
频率
100 GHz
工作电源电压
5 V
引线间距
0.197 (5.00mm)
界面
Parallel
最大电源电压
5.25 V
最小电源电压
4.75 V
内存大小
1 MB
工作电源电流
85 mA
访问时间
100 ns
内存格式
NVSRAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
8 b
组织结构
1 M x 8
写入周期时间 - 字符、页面
100ns
密度
8 Mb
特征
--
组织的记忆
1M x 8
座位高度(最大)
0.315 (8.00mm)
无铅
含铅
评级结果
--
DS1265AB-100 拓展信息
Analog Devices
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