Central Semiconductor 2N2907A

工厂交货时间

8 Weeks

底架

通孔

包装/外壳

TO-18

引脚数

3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.6V

Frequency(Max)

250MHz

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

400mW

hFEMin

100

已出版

2003

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

活跃

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

200°C

最小工作温度

-65°C

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

频率

200MHz

极性

PNP

元素配置

Single

功率耗散

400mW

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

250MHz

集电极发射器电压(VCEO)

60V

最大集电极电流

600mA

转换频率

200MHz

频率转换

200MHz

集电极基极电压(VCBO)

60V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

最小直流增益（hFE）

50

连续集电极电流

-600mA

接通时间-最大值(ton)

45ns

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅