Central Semiconductor 2N930B

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Saturation Voltage

500 mV

hFEMin

100

RoHS

Compliant

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Transition Frequency-Nom (fT)

45 MHz

Manufacturer Part Number

2N930B

Package Shape

ROUND

Manufacturer

Central Semiconductor Corp

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

5.27

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

低噪音

子类别

其他晶体管

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

不合格

极性

NPN

配置

SINGLE

元素配置

Single

增益带宽积

45 MHz

极性/通道类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

45 V

JEDEC-95代码

TO-18

集电极基极电压(VCBO)

60 V

最大耗散功率(Abs)

0.5 W

发射极基极电压 (VEBO)

6 V

集电极电流-最大值(IC)

0.03 A

最小直流增益（hFE）

100

集电极-发射器电压-最大值

45 V