Central Semiconductor CMKT3906TR

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

表面安装

YES

供应商器件包装

SOT-363

质量

7.512624 mg

Collector-Emitter Saturation Voltage

400 mV

Collector-Emitter Breakdown Voltage

40 V

RoHS

Compliant

Current-Collector (Ic) (Max)

200mA

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Transition Frequency-Nom (fT)

250 MHz

Manufacturer Part Number

CMKT3906TR

Manufacturer

Central Semiconductor Corp

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

5.69

操作温度

-65°C ~ 150°C (TJ)

系列

--

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e0

零件状态

活跃

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

子类别

其他晶体管

最大功率耗散

350 mW

Reach合规守则

not_compliant

极性

PNP

元素配置

Dual

功率 - 最大

350mW

增益带宽积

250 MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

2 PNP (Dual)

集电极发射器电压(VCEO)

400 mV

最大集电极电流

200 mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 10mA, 1V

最大集极截止电流

--

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

400mV @ 5mA, 50mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

40V

转换频率

250 MHz

最大击穿电压

40 V

频率转换

250MHz

集电极基极电压(VCBO)

40 V

最大耗散功率(Abs)

0.35 W

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

集电极电流-最大值(IC)

0.2 A

最小直流增益（hFE）

100