Central Semiconductor CMPT3820TR
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CMPT3820TR
420-CMPT3820TR
分立半导体产品
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HALOGEN FREE AND PACKAGE-3
--最小包装量--
CMPT3820TR详情
Central Semiconductor CMPT3820TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
表面安装
YES
供应商器件包装
SOT-23
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
1A
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
无
Transition Frequency-Nom (fT)
150 MHz
Manufacturer Part Number
CMPT3820TR
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Central Semiconductor Corp
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
Risk Rank
5.29
操作温度
-65°C ~ 150°C (TJ)
系列
--
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e0
零件状态
活跃
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8541.21.00.75
子类别
其他晶体管
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
功率 - 最大
350mW
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
200 @ 500mA, 5V
最大集极截止电流
100nA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
280mV @ 100mA, 1A
电压 - 集射极击穿(最大值)
60V
频率转换
150MHz
最大耗散功率(Abs)
0.35 W
集电极电流-最大值(IC)
1 A
最小直流增益(hFE)
100
集电极-发射器电压-最大值
60 V
CMPT3820TR拓展信息
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