Central Semiconductor CMPT3820TR

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

表面安装

YES

供应商器件包装

SOT-23

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Current-Collector (Ic) (Max)

1A

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Transition Frequency-Nom (fT)

150 MHz

Manufacturer Part Number

CMPT3820TR

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Central Semiconductor Corp

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

5.29

操作温度

-65°C ~ 150°C (TJ)

系列

--

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e0

零件状态

活跃

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.21.00.75

子类别

其他晶体管

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

功率 - 最大

350mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 500mA, 5V

最大集极截止电流

100nA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

280mV @ 100mA, 1A

电压 - 集射极击穿（最大值）

60V

频率转换

150MHz

最大耗散功率(Abs)

0.35 W

集电极电流-最大值(IC)

1 A

最小直流增益（hFE）

100

集电极-发射器电压-最大值

60 V